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P14NF12-VB TO220

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n100V,18A,RDS(ON),127mΩ@10V,132mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220\n一款单N沟道功率MOSFET,适用于多种低功率功率电子应用。具有高性能和可靠性,特别适合要求高效率和低功率的电源和驱动器应用。
供应商型号: P14NF12-VB TO220 TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) P14NF12-VB TO220

P14NF12-VB TO220概述

    # P14NF12 N-Channel 100-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    P14NF12是一款采用TrenchFET技术的高性能N沟道增强型功率MOSFET,专为隔离式直流-直流转换器及其他高可靠性应用而设计。该产品以其卓越的热阻性能和宽广的工作温度范围(-55°C至+175°C)著称,适用于严苛环境下的电源管理需求。此外,它具有较低的导通电阻(rDS(on)),并经过100% Rg测试,确保了产品的高可靠性和一致性。
    主要特点:
    - 额定电压:100V(V(BR)DSS)
    - 最大连续漏极电流:18A(TJ=25°C)
    - 低导通电阻:典型值0.127Ω@VGS=10V,ID=20A
    - 超高结温运行能力:最高可达175°C
    - 紧凑型封装:具备良好的散热性能
    应用领域:
    - 隔离式DC/DC转换器
    - 开关电源电路
    - 工业控制及汽车电子系统

    技术参数


    以下是根据技术手册整理的关键技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS 100 V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2 | 4 V |
    | 栅漏漏电流 | IGSS ±100 nA |
    | 导通状态漏极电流 | ID(on) 120 A |
    | 导通状态下漏源电阻 | rDS(on) 0.127 Ω |
    | 输入电容 | Ciss 1300 pF |
    | 输出电容 | Coss 260 pF |
    | 反向传输电容 | Crss 110 pF |
    | 总栅极电荷 | Qg 28 nC |
    | 栅极电阻 | Rg | 0.5 | 1.7 | 3.3 | Ω |

    产品特点和优势


    P14NF12具备多项突出的技术亮点,使其在市场上脱颖而出:
    1. 先进的TrenchFET结构:提供极低的导通电阻和快速开关速度,降低功耗并提高效率。
    2. 高温适应性:支持最高达175°C的工作温度,非常适合高温工业环境。
    3. 优异的热管理:Junction-to-Ambient热阻仅为40°C/W,确保高效的散热性能。
    4. 可靠的质量保证:所有产品均通过100% Rg测试,确保生产一致性。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 隔离式DC/DC转换器:P14NF12被广泛应用于隔离式DC/DC转换器中,其低导通电阻和高开关频率能力显著提高了系统的整体效率。
    - 车载充电器:在车载充电器中,P14NF12能够承受恶劣的温度变化,并保持稳定的性能表现。
    使用建议:
    - 在高功率密度设计中,建议采用大面积散热片以进一步降低器件温度。
    - 当连接到PCB时,确保正确安装并利用PCB平面进行有效散热。

    兼容性和支持


    P14NF12采用标准TO-220封装,易于集成到现有电路中。同时,制造商提供详尽的技术支持文档及专业售后服务团队,帮助客户解决使用过程中的各类问题。

    常见问题与解决方案


    以下列举了一些常见的用户问题及其对应的解决方法:
    1. 问:如何选择合适的栅极驱动电阻?
    - 答:根据实际电路要求,建议选择Rg值介于0.5Ω至1.7Ω之间的电阻,平衡开关时间和功耗。

    2. 问:长时间运行后发热异常怎么办?
    - 答:检查散热设计是否合理,必要时增加散热片面积或改善气流路径。

    总结和推荐


    P14NF12 N-Channel 100-V MOSFET凭借其优越的性能参数、广泛的适用性和可靠性,成为一款极具吸引力的电子元件。我们强烈推荐该产品用于需要高效能和高稳定性的应用场合。如果您正在寻找一款既能应对复杂工况又能提升系统效率的MOSFET解决方案,P14NF12无疑是一个明智的选择。

P14NF12-VB TO220参数

参数
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -

P14NF12-VB TO220厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

P14NF12-VB TO220数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 P14NF12-VB TO220 P14NF12-VB TO220数据手册

P14NF12-VB TO220封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 1.7275
1000+ ¥ 1.6556
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