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3N45K3-VB TO251

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),4300mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO251 可用于电源管理模块、太阳能光伏逆变器、 LED驱动器、电动工具驱动器等产品,产品具有高漏极电阻和低漏极电流,适用于多种领域和模块。
供应商型号: 3N45K3-VB TO251 TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 3N45K3-VB TO251

3N45K3-VB TO251概述


    产品简介


    型号:3N45K3 TO251
    产品类型:这是一款N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由台湾VBsemi公司生产。其紧凑的设计使其适用于多种电力控制和转换应用。
    主要功能:
    - 低栅极电荷:能够简化驱动需求。
    - 改善的栅极、雪崩及动态dV/dt耐受性:提高了耐用性。
    - 完全表征的电容和雪崩电压电流:确保了产品的稳定性和可靠性。
    - 符合RoHS指令:环保设计。
    应用领域:
    - 电源转换器
    - 电机控制
    - LED驱动器
    - 太阳能逆变器

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 (VDS) | 650 | V |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | VGS=10V | 5 | Ω |
    | 总栅极电荷 (Qg) | 最大值 | 11 | nC |
    | 栅源电荷 (Qgs) 2.3 | nC |
    | 栅漏电荷 (Qgd) 5.2 | nC |
    | 连续漏极电流 (ID) | TC=25°C | 1.28 | A |
    | 脉冲漏极电流 (IDM) 8 | A |
    | 最高功耗 (PD) | TC=25°C | 45 | W |
    | 最大热阻抗 (RthJA) 65 | °C/W |

    产品特点和优势


    产品特点:
    - 低栅极电荷:减少驱动需求,提高系统效率。
    - 耐用性强:栅极、雪崩和动态dV/dt均具备强大的耐受性。
    - 全面表征的电容和雪崩特性:提供可靠的数据支持。
    产品优势:
    - 简化设计:低栅极电荷使电路设计更为简单。
    - 高可靠性:改善的栅极和雪崩耐受性增强了产品的可靠性。
    - 符合RoHS标准:环保设计,符合欧盟标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    该产品广泛应用于各种电源管理和控制系统中,例如电源适配器、电机控制器和太阳能逆变器。以下是典型的应用场景:
    1. 电源适配器:作为开关电源的主控开关,帮助进行高效转换。
    2. 电机控制器:用于调节电机的工作状态,实现精准控制。
    使用建议:
    - 在选择栅极电阻时,应注意避免过高的dV/dt导致的干扰。
    - 确保散热系统的良好设计,以保证产品在高温环境下稳定工作。

    兼容性和支持


    该产品具有良好的兼容性,可以与其他大多数电子元器件和设备配合使用。台湾VBsemi提供了详细的技术支持,包括产品选型指导和故障排查服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 高温条件下导通电阻增加 | 加强散热设计,使用合适的散热片或散热风扇。|
    | 开关频率过高导致损耗增加 | 降低开关频率,优化驱动电路设计。 |
    | 栅极信号不稳定 | 检查栅极驱动电路,确保信号质量。 |

    总结和推荐


    总结:
    3N45K3 TO251 是一款高性能的N沟道功率MOSFET,具备低栅极电荷、耐用性和全面的电容表征等显著优势。适合用于各种电力转换和控制系统。
    推荐:
    鉴于其优异的性能和广泛的应用范围,我们强烈推荐在需要高效、可靠的电源管理应用中使用此产品。无论是电机控制还是太阳能逆变器,3N45K3 TO251都能发挥出色的表现。

3N45K3-VB TO251参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -

3N45K3-VB TO251厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

3N45K3-VB TO251数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 3N45K3-VB TO251 3N45K3-VB TO251数据手册

3N45K3-VB TO251封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.6556
4000+ ¥ 1.5836
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