处理中...

首页  >  产品百科  >  06N60-VB TO220F

06N60-VB TO220F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: 06N60-VB TO220F TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 06N60-VB TO220F

06N60-VB TO220F概述

    # Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    本文档详细介绍了一款高性能的N-Channel MOSFET(6N60 TO220F),属于一种功率场效应晶体管。这款电子元器件具备低导通电阻和高电流处理能力的特点,适用于多种电源转换和控制应用。
    主要功能
    - 低导通电阻(Ron):具有极低的导通电阻(RDS(on)),有助于减少功耗并提高效率。
    - 快速开关特性:拥有超低栅极电荷(Qg),使得切换速度更快,响应时间更短。
    - 高可靠性:经过严格的测试,保证在高压和高温环境下仍能稳定运行。
    应用领域
    - 服务器和电信电源:适用于数据中心和通信系统中的电源供应模块。
    - 开关模式电源(SMPS):用于各种类型的开关电源设备。
    - 功率因数校正电源(PFC):提高电源转换效率,降低能源损耗。
    - 照明系统:适用于高密度放电(HID)灯及荧光灯球泡驱动电路。
    - 工业应用:广泛应用于各类工业控制系统中。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压(VDS):650V
    - 栅源电压(VGS):±30V
    - 连续漏极电流(TJ=150°C):10V时为3.5A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):97mJ
    - 最大功耗(PD):94W
    - 工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg):-55°C至+150°C
    - 漏源电压斜率(dV/dt):60V/ns
    - 焊接温度峰值(对于10秒):300°C
    静态特性
    - 漏源击穿电压(VDS):650V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):2.5-5V
    - 零栅压漏极电流(IDSS):≤1μA
    - 导通电阻(RDS(on)):0.1Ω(VGS=10V)
    动态特性
    - 输入电容(Ciss):10pF
    - 输出电容(Coss):60pF
    - 门极电荷(Qg):16nC

    产品特点和优势


    独特功能
    - 低导通电阻和栅极电荷:显著降低了开关损耗和导通损耗。
    - 高可靠性和稳定性:即使在极端条件下也能保持良好的性能表现。
    - 快速响应:快速的开关速度减少了延迟时间和恢复时间。
    市场竞争力
    这款N-Channel MOSFET以其卓越的性能和高度的可靠性,在众多同类产品中脱颖而出。其广泛的应用范围和高效能使其成为现代电力电子设计的理想选择。

    应用案例和使用建议


    实际应用
    - 服务器和电信电源:可替代传统硅材料的二极管,提高电源转换效率。
    - 照明系统:用于HID灯和荧光灯电路,实现高效的电能管理。
    使用建议
    - 在服务器和电信电源中,应注意散热问题以防止过热。可以通过采用更大的散热片或冷却风扇来提高散热效率。
    - 在照明系统中,建议将此MOSFET放置于易于散热的位置,并注意其最大工作温度限制。

    兼容性和支持


    兼容性
    此MOSFET与各种开关电源和逆变器兼容,能够轻松集成到现有的设计中。
    支持
    台湾VBsemi公司提供详尽的技术文档和支持服务,确保客户能够充分利用该产品的性能。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    - 开关频率过高导致过热
    - 漏电流过大
    解决方案
    - 适当增加散热装置:通过增加散热器或冷却风扇来提高散热效率。
    - 调整工作参数:通过改变栅极电压或电流控制参数,确保器件处于最佳工作状态。

    总结和推荐


    产品评价
    总体而言,这款6N60 TO220F N-Channel MOSFET凭借其优异的性能和可靠性,在各种应用场景中表现出色。其高效的功率管理和低损耗特性,使其在现代电力电子设计中具有很高的应用价值。
    推荐意见
    强烈推荐在需要高效电源管理和严格环境要求的场合下使用此产品。无论是服务器和电信电源还是工业控制系统,它都能提供出色的性能和长期的可靠性。

06N60-VB TO220F参数

参数
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
FET类型 -

06N60-VB TO220F厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

06N60-VB TO220F数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 06N60-VB TO220F 06N60-VB TO220F数据手册

06N60-VB TO220F封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 34.98
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336