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8NM60ND-VB TO252

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单极性 N 型功率场效应晶体管(MOSFET),额定电压高达650V,适用于高压应用场景。门源电压范围广泛(±30V),具有良好的电压容忍性。阈值电压较低(3.5V),有助于减少功率损耗。在VGS=10V时的漏极-源极电阻为700m?,提供可靠的导通特性。漏极电流为7A,适用于中等功率需求。采用SJ_Multi-EPI技术,具有优异的热稳定性和可靠性。封装为TO252,易于安装和散热。
供应商型号: 8NM60ND-VB TO252 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 8NM60ND-VB TO252

8NM60ND-VB TO252概述


    产品简介


    4VQFS +VODUJPO Power MOSFET
    4VQFS +VODUJPO Power MOSFET 是一种N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),具有低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg)。它广泛应用于服务器和电信电源系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)、照明设备(如高强度放电灯HID和荧光灯镇流器)以及工业设备。

    技术参数


    - 工作电压:VDS 最大值为 650 V
    - 最大连续漏极电流:ID 在 TC = 25 °C 时为 8 A,在 TC = 100 °C 时为 4 A
    - 脉冲漏极电流:IMD 最大值为 20 A
    - 导通电阻(RDS(on)):在 VGS = 10 V、ID = 4 A 时的最大值为 0.7 Ω
    - 总栅极电荷(Qg):最大值为 33 nC
    - 栅源电荷(Qgs):3.1 nC
    - 栅漏电荷(Qgd):3.8 nC
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压(VDS):650 V
    - 栅源电压(VGS):± 30 V
    - 最大功耗(PD):94 W

    产品特点和优势


    4VQFS +VODUJPO Power MOSFET 的主要特点包括:
    - 低栅极电荷(Qg) 和 低输入电容(Ciss),这有助于减少开关和导通损耗。
    - 超低栅极电荷,提高能效。
    - 雪崩能量等级(UIS),具备良好的可靠性。
    - 高击穿电压,适用于高压应用。
    这些特点使其在各种电源管理和控制应用中表现出色,尤其是在需要高可靠性和高效能的场合。

    应用案例和使用建议


    4VQFS +VODUJPO Power MOSFET 主要应用于:
    - 服务器和电信电源系统:这些系统的电源转换要求高性能和高可靠性,该产品能够有效满足这些需求。
    - 开关模式电源(SMPS):利用其高效的能量转换能力,可以在各种开关频率下保持稳定运行。
    - 工业设备:其高可靠性适合用于工业级设备中,确保长时间稳定工作。
    使用建议:
    - 散热管理:由于高功率密度,需要良好的散热措施,比如采用散热片或者风扇,以避免过热导致性能下降。
    - 电路布局:布局应尽量减少寄生电感和电容,以优化性能。例如,使用接地平面来减少噪声和干扰。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品可与多种其他电子元器件兼容,特别是对于类似的电源转换应用。
    - 支持:制造商提供详尽的技术文档和支持服务,包括应用指南、故障排查和维修建议。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:温度过高导致性能下降。
    - 解决办法:增加散热装置,例如使用散热片或风扇,保证设备处于正常的工作温度范围内。
    2. 问题:栅极电荷过高导致效率下降。
    - 解决办法:优化电路设计,选择合适的驱动电阻(Rg),以减少栅极电荷。
    3. 问题:开关速度慢影响系统性能。
    - 解决办法:选用更小的栅极电容和适当的驱动电压,提高开关速度。

    总结和推荐


    综上所述,4VQFS +VODUJPO Power MOSFET 在许多关键领域表现出了优异的性能,特别是在高可靠性和高效能方面。其低导通电阻和超低栅极电荷使其成为许多电源管理应用的理想选择。强烈推荐该产品用于需要高性能和高可靠性的电力系统和工业设备中。
    如需进一步技术支持,可联系服务热线:400-655-8788。

8NM60ND-VB TO252参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -

8NM60ND-VB TO252厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

8NM60ND-VB TO252数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 8NM60ND-VB TO252 8NM60ND-VB TO252数据手册

8NM60ND-VB TO252封装设计

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