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80N40DG-VB TO263

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,180A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO263适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、电动车辆和工业控制等领域的模块中。
供应商型号: 80N40DG-VB TO263 TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 80N40DG-VB TO263

80N40DG-VB TO263概述

    80N40DG-VB TO263 N-Channel 40V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    80N40DG-VB 是一种由 VBsemi 生产的 N 沟道 40V 功率 MOSFET,属于 TO263 封装形式。这款 MOSFET 主要用于同步整流及电源供应系统,具有高效率和低损耗的特点。它采用了 TrenchFET® 技术,具备高性能、低导通电阻(RDS(on))和高电流处理能力等优势。

    技术参数


    - 工作电压:最大漏源电压(VDS)为 150V。
    - 漏极电流:在 25°C 条件下,连续漏极电流(ID)为 135A,脉冲漏极电流(IMD)可达 380A。
    - 导通电阻:在 VGS = 10V 条件下,导通电阻(RDS(on))仅为 0.0017Ω;在 VGS = 4.5V 条件下,导通电阻为 0.0025Ω。
    - 电容参数:输入电容(Ciss)为 9000pF,输出电容(Coss)为 650pF。
    - 温度范围:工作温度范围为 -55°C 到 150°C。

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:该 MOSFET 具有非常低的导通电阻,这使得在高电流应用中能够显著降低功耗和热损耗。
    2. 高击穿电压:其漏源击穿电压高达 150V,适合于各种高压应用场合。
    3. 优异的开关性能:开关时间短,可快速切换并减少开关损耗,提高整体效率。
    4. 高可靠性:所有产品均经过 100% 的 UIS 测试,保证了长期使用的可靠性。

    应用案例和使用建议


    - 同步整流:可用于高频开关电源的设计,实现更高的转换效率。
    - 功率管理:适用于需要高效能和低功耗的应用,如通信电源、工业控制设备等。

    使用建议:
    - 确保在设计电路时考虑散热问题,尤其是在高功率应用中。
    - 在高频应用中,需要特别关注寄生电感的影响,以避免不必要的能量损耗。

    兼容性和支持


    80N40DG-VB 支持标准的 D2PAK (TO-263) 封装,便于安装和替换其他同类产品。VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,包括产品咨询、故障诊断和技术培训等。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:导通电阻过高
    - 解决方案:检查驱动电压(VGS)是否达到要求值,确保 VGS 大于阈值电压。
    2. 问题:发热严重
    - 解决方案:增加外部散热措施,例如使用散热片或风扇辅助散热。

    总结和推荐


    80N40DG-VB TO263 N-Channel 40V MOSFET 以其出色的导通电阻、高效的开关性能和高可靠性在众多应用中表现出色。无论是用于同步整流还是功率管理,该器件都能提供卓越的表现。鉴于其出色的产品性能和丰富的技术支持,强烈推荐使用 80N40DG-VB MOSFET。
    如有任何疑问或需求,欢迎联系 VBsemi 客服热线:400-655-8788,获取更多详细信息和支持。

80N40DG-VB TO263参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
FET类型 -
配置 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -

80N40DG-VB TO263厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

80N40DG-VB TO263数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 80N40DG-VB TO263 80N40DG-VB TO263数据手册

80N40DG-VB TO263封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
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