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06N60C3-VB TO252

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO252,具有稳定可靠的性能。适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。
供应商型号: 06N60C3-VB TO252 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 06N60C3-VB TO252

06N60C3-VB TO252概述

    文章标题:N-Channel MOSFET 6N60C3技术手册解读

    1. 产品简介


    6N60C3是一款N-沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),它适用于多种工业和消费电子应用。6N60C3的主要功能是在高电压和电流环境下提供高效的开关控制。其主要应用领域包括但不限于电源转换、电机驱动和照明系统。

    2. 技术参数


    以下是6N60C3的技术规格和技术性能参数:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 \(V{DS}\) | 650 | V |
    | 通态电阻 \(R{DS(on)}\)(\(V{GS}=10V\)) | 0.95 | Ω |
    | 最大总栅极电荷 \(Qg\)(\(V{GS}=10V\)) | 15 | nC |
    | 栅源电荷 \(Q{gs}\) | 3 | nC |
    | 栅漏电荷 \(Q{gd}\) | 6 | nC |
    | 额定最大脉冲漏电流 \(I{DM}\) | 16 | A |
    | 最大连续漏电流 \(ID\) | 4 | A |
    | 工作温度范围 | -55到+150 | ℃ |
    这些参数表明,6N60C3具有较高的耐压能力和较低的导通电阻,适用于高电压应用场合。

    3. 产品特点和优势


    6N60C3具备以下几个显著的特点和优势:
    - 低栅极电荷 \(Qg\):这使得驱动要求简单,减少驱动电路的复杂度和成本。
    - 增强型栅极、雪崩及动态 \(dV/dt\) 耐受性:提高了产品的可靠性和耐用性。
    - 全面的电容和雪崩电压、电流表征:确保在不同工作条件下表现稳定。
    - 符合RoHS指令:适用于环保需求高的应用场景。

    4. 应用案例和使用建议


    6N60C3广泛应用于各类需要高电压控制的应用中,例如:
    - 电源转换:在开关电源设计中,可以作为主开关管使用,提供高效的电压转换。
    - 电机驱动:可用于电机驱动电路,提供精准的控制信号。
    - 照明系统:在LED驱动器中,用于实现高效能的电力转换和调控。
    使用建议:
    - 在选择栅极驱动电阻时,应考虑降低开关损耗并提高效率。
    - 确保良好的散热设计以避免热应力导致的损坏。

    5. 兼容性和支持


    6N60C3采用标准封装(如TO-252和TO-220),易于与现有系统集成。VBsemi提供了详尽的技术支持文档和快速响应的服务热线,确保客户能够获得及时的帮助和支持。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是一些用户可能遇到的问题及其解决方案:
    - 问题1:发热严重
    - 解决方法:检查散热片的设计,确保散热良好。
    - 问题2:工作不稳定
    - 解决方法:重新确认驱动信号的质量,必要时增加滤波电容。
    - 问题3:输出电压不稳
    - 解决方法:检查负载变化,确保负载稳定并在额定范围内。

    7. 总结和推荐


    综上所述,6N60C3具备出色的性能参数和广泛的适用性,适合于高电压、高电流的应用环境。其低栅极电荷、增强的耐压能力以及良好的可靠性使其成为许多工业和消费电子产品中的优选组件。强烈推荐在需要高效、稳定电源转换的应用中使用6N60C3。

06N60C3-VB TO252参数

参数
栅极电荷 -
FET类型 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -

06N60C3-VB TO252厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

06N60C3-VB TO252数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 06N60C3-VB TO252 06N60C3-VB TO252数据手册

06N60C3-VB TO252封装设计

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