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20N50-VB TO220F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F 该产品可用于设计各种类型的电力模块,包括交流/直流变换器和电机驱动器,以满足工业和商业领域的电力需求。
供应商型号: 20N50-VB TO220F TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 20N50-VB TO220F

20N50-VB TO220F概述

    20N50-VB TO220F 产品技术手册解析

    1. 产品简介


    20N50-VB 是一种 N 沟道 650V(漏-源)超级结功率 MOSFET。这类器件广泛应用于多种电子设备中,主要功能包括电源管理和信号控制。具体应用领域包括服务器和电信电源系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及各种照明和工业设备。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | 650 | - | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2 | - | 5 | V |
    | 零栅电压漏极电流 | IDSS | - | - | 1 | μA |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | - | 0.19 | - | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | - | 2322 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 105 | - | pF |
    | 有效输出电容,能量相关 | Co(er) | - | 84 | - | nF |
    | 总栅电荷 | Qg | - | 106 | - | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | - | 14 | - | nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd | - | 33 | - | nC |
    | 关断延迟时间 | td(off) | - | 68 | - | ns |

    3. 产品特点和优势


    - 低FOM值:20N50-VB 具有低栅源阈值电压和栅极电荷,这使得其在高频开关应用中表现优异。
    - 低输入电容:Ciss 的低值有助于降低栅极驱动损耗。
    - 低传导和开关损耗:该器件具有较低的漏源导通电阻和有效的电容参数,可显著降低整体损耗。
    - 高可靠性:超结结构设计,可在高电压和高温度条件下保持稳定运行。
    - 广泛的应用领域:适用于服务器、通信设备、照明及工业控制系统等领域。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 在服务器和电信电源系统中,用于高效电源转换和稳压。
    - 在照明系统(如 HID 和荧光灯)中,作为电源控制的关键组件。
    - 在工业设备中,如工业控制系统和自动化设备中提供可靠的电源管理。
    - 使用建议:
    - 使用时需注意热管理,建议使用散热器以避免过热。
    - 适当降低栅极驱动电阻(Rg),以减小开关损耗。
    - 确保良好的PCB布局设计,以减少寄生电感和电容的影响。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:20N50-VB 兼容各种电路板和接口标准,可以方便地集成到现有的设计中。
    - 支持:台湾 VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,确保客户在使用过程中能够获得及时的帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:温度过高导致失效
    - 解决方案:增加散热片或采用外部冷却装置,降低环境温度,确保器件工作在允许的工作温度范围内。

    - 问题2:栅极驱动电压不足导致器件失效
    - 解决方案:检查驱动电路设计,确保栅极驱动电压满足器件要求。

    7. 总结和推荐


    综上所述,20N50-VB MOSFET凭借其出色的性能和广泛的应用范围,在各类电子设备中展现出卓越的可靠性和稳定性。对于需要高效率和低损耗的电源管理系统来说,这款产品是一个理想的选择。因此,强烈推荐使用20N50-VB MOSFET,特别是针对需要高电压、高频切换的应用场景。
    联系方式:如果您对产品有任何疑问,欢迎拨打服务热线 400-655-8788 或访问官网 www.VBsemi.com 进行咨询。
    本手册详细介绍了20N50-VB MOSFET的主要技术参数、产品特点、应用场景及其支持服务,旨在帮助用户更好地了解和应用此产品。希望本文能为您的电子设计提供有益参考。

20N50-VB TO220F参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -

20N50-VB TO220F厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

20N50-VB TO220F数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 20N50-VB TO220F 20N50-VB TO220F数据手册

20N50-VB TO220F封装设计

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