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26CNE8N-VB TO263

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 推出的单极性 N 型沟道 MOSFET,具有80V的额定漏极-源极电压(VDS),可在±20V的门源电压范围内工作。其阈值电压为3V,漏极-源极电阻在VGS=4.5V时为10 m?,在VGS=10V时为6 m?。该器件的最大漏极电流为120A,采用先进的沟道 MOSFET 技术,具有高性能和稳定的特性。封装形式为TO263,适用于各种应用场合。
供应商型号: 26CNE8N-VB TO263 TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 26CNE8N-VB TO263

26CNE8N-VB TO263概述

    26CNE8N-VB N-Channel 80 V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    26CNE8N-VB 是一款高性能N通道80V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由VBsemi公司设计制造。这款MOSFET集成了ThunderFET®技术,使其在功率转换应用中表现出色。它的主要功能包括高可靠性、低导通电阻和高工作温度范围。它广泛应用于电源管理、电机控制、汽车电子、通信设备等领域。

    2. 技术参数


    - 最大工作电压 (VDS):80V
    - 最大栅极-源极电压 (VGS):±20V
    - 连续漏极电流 (TJ = 150°C):
    - TC = 25°C:120A
    - TC = 125°C:65A
    - 脉冲漏极电流 (t = 100μs):225A
    - 单次雪崩电流 (IL = 0.1mH):50A
    - 单次雪崩能量 (EAS):125mJ
    - 最大功耗 (TC = 25°C):370W
    - 最大功耗 (TC = 125°C):120W
    - 热阻 (Junction-to-Ambient, PCB Mount):40°C/W
    - 热阻 (Junction-to-Case, Drain):0.75°C/W
    - 绝对最大工作温度范围 (TJ, Tstg):-55°C至+175°C

    3. 产品特点和优势


    26CNE8N-VB 具有多项显著特点和优势:
    - ThunderFET® 技术:显著提高开关速度和效率。
    - 高耐温性能:最高工作温度可达175°C,确保在极端环境下稳定运行。
    - 高可靠性测试:100% Rg和UIS测试,确保每个产品都符合标准。
    - 宽工作温度范围:-55°C至+175°C,适应各种严苛环境。
    - 高电流能力:支持大电流,适用于高负载需求的应用。
    这些特点使26CNE8N-VB在电力管理和高效驱动方面具备明显优势,适用于对可靠性和稳定性要求高的应用场景。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 电源管理:用于DC-DC转换器,AC-DC转换器等。
    - 电机控制:用于电动工具和工业自动化设备中的电机驱动。
    - 汽车电子:用于电动汽车的电池管理系统。
    - 通信设备:用于电信基站的电源系统。
    使用建议:
    - 确保电路板的设计符合热管理要求,特别是在高温环境中使用时。
    - 选择合适的散热片以提高散热效率。
    - 针对不同的应用环境,选择合适的输入电容和输出电容,以优化电路性能。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - 26CNE8N-VB 支持多种封装形式,易于集成到现有系统中。
    - 与大多数主流电路板和驱动器兼容,确保与现有设备的良好匹配。
    支持:
    - 服务热线:400-655-8788
    - 官方网站:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    1. Q: 开关频率过高导致过热
    - A: 使用更大的散热片或者采用更高效的冷却方式,例如风扇或液冷系统。

    2. Q: 漏电流过大
    - A: 检查电路板上的焊点是否接触良好,更换低漏电流型号的MOSFET。
    3. Q: 噪声过大
    - A: 添加适当的去耦电容,并优化电路布局以减少噪声干扰。

    7. 总结和推荐


    总体来说,26CNE8N-VB是一款高性能、高可靠性的N通道80V MOSFET,具有出色的耐温性能和广泛的温度范围,特别适合于高负载和高温环境下的应用。结合其卓越的技术参数和多样的应用场景,强烈推荐使用26CNE8N-VB来提升您系统的整体性能和可靠性。

26CNE8N-VB TO263参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 -

26CNE8N-VB TO263厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

26CNE8N-VB TO263数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 26CNE8N-VB TO263 26CNE8N-VB TO263数据手册

26CNE8N-VB TO263封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.8594
100+ ¥ 4.4995
500+ ¥ 4.3194
800+ ¥ 4.1395
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