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2N03L08-VB TO220

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要高功率、高压承受能力和高效率要求的电路和模块,如电动车控制器、工业电源模块和焊接设备控制器等领域。
供应商型号: 2N03L08-VB TO220 TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2N03L08-VB TO220

2N03L08-VB TO220概述

    2N03L08-VB TO220 MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    2N03L08-VB TO220 是一款N沟道30V(D-S)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这款器件采用先进的TrenchFET®技术制造,具有低导通电阻、高可靠性和优良的热稳定性等特点。它广泛应用于服务器、直流-直流转换器和其他电力系统中,如OR-ing电路。

    2. 技术参数


    以下是2N03L08-VB TO220的主要技术参数:
    - 额定电压 (VDS):30V
    - 连续漏极电流 (ID):120A (TJ = 175°C)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):380A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):64.8V
    - 总栅极电荷 (Qg):171nC @ VDS = 15V, ID = 28.8A
    - 导通阻抗 (RDS(on)):0.003Ω @ VGS = 10V, ID = 28.8A
    - 输出电容 (Coss):725pF
    - 反向传输电容 (Crss):370pF
    - 最大工作温度范围 (TJ):-55°C至175°C
    - 最大热阻 (RthJA):40°C/W

    3. 产品特点和优势


    独特功能和优势:
    - TrenchFET® 技术:提供较低的导通电阻,提高了效率和热稳定性。
    - 100% Rg 和 UIS 测试:确保产品质量和可靠性。
    - 符合RoHS标准:环保设计,无有害物质。
    - 优异的温度特性:在宽广的温度范围内保持稳定的性能。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 服务器电源管理:2N03L08-VB MOSFET 可以用于服务器中的电源管理系统,确保高效和可靠的电力传输。
    - OR-ing电路:在多个电源之间切换时,可以有效地减少故障和过载情况的发生。
    使用建议:
    - 散热设计:由于其较高的功率消耗,需要良好的散热设计以避免热失控。
    - 电路布局:确保合理的电路布局,减少寄生电感和电容,提高整体系统的稳定性和效率。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:2N03L08-VB MOSFET 可以与其他主流的电子元件和系统兼容,如常见的服务器主板和电源管理系统。
    - 技术支持:厂商提供详尽的技术文档和支持服务,包括在线资源、电话咨询和技术培训。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:长时间使用后出现过热现象
    - 解决办法:增加散热措施,如安装散热片或风扇,改善电路布局以减少寄生热阻。
    - 问题2:导通电阻增大
    - 解决办法:检查是否有杂质或损坏,并重新校准VGS电压以确保正确的导通状态。

    7. 总结和推荐


    综上所述,2N03L08-VB TO220是一款高性能的N沟道MOSFET,具备低导通电阻、高可靠性、出色的温度特性和广泛的应用范围。适用于服务器、直流-直流转换器等高要求的电力系统。强烈推荐给需要高效、可靠电力管理解决方案的工程师和设计师。

2N03L08-VB TO220参数

参数
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -

2N03L08-VB TO220厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2N03L08-VB TO220数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2N03L08-VB TO220 2N03L08-VB TO220数据手册

2N03L08-VB TO220封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
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