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PN0303-VB TO220

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要高功率、高压承受能力和高效率要求的电路和模块,如电动车控制器、工业电源模块和焊接设备控制器等领域。
供应商型号: PN0303-VB TO220 TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) PN0303-VB TO220

PN0303-VB TO220概述

    PN0303 N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    PN0303 是一款采用 TrenchFET® 技术的 N-沟道 MOSFET,具有出色的功率处理能力和高可靠性。这款 MOSFET 主要应用于 OR-ing(或门电路)、服务器以及 DC/DC 转换器等场合。PN0303 具备 30V 的耐压能力,并且经过 100% 的栅极电阻(Rg)和雪崩测试(UIS),符合 RoHS 指令 2011/65/EU。

    技术参数


    - 额定电压(VDS): 30V
    - 栅源电压(VGS): ±20V
    - 连续漏极电流(TJ = 175 °C):
    - TC = 25 °C: 120A
    - TC = 70 °C: 60A
    - 脉冲漏极电流(IDM): 380A
    - 单脉冲雪崩电流(IAS): 36A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 64.8V
    - 连续源漏二极管电流(IS): 90A
    - 最大耗散功率(PD):
    - TC = 25 °C: 250W
    - TC = 70 °C: 175W
    - 热阻率(RthJA): 最大值为 40°C/W
    - 热阻率(RthJC): 0.5 - 0.6°C/W
    - 工作温度范围(TJ, Tstg): -55°C 至 175°C

    产品特点和优势


    PN0303 具有多项独特功能和优势:
    - 高可靠性: 100% 测试 Rg 和 UIS,确保长期稳定运行。
    - 低导通电阻(RDS(on)): 在 VGS = 10V 下,RDS(on) 可达 0.003Ω;在 VGS = 4.5V 下,RDS(on) 为 0.004Ω。
    - 出色的动态性能: 输入电容(Ciss)高达 3100pF,适用于高频应用。
    - 温度稳定性: 阈值电压(VGS(th))的温度系数为 -7.5mV/°C。

    应用案例和使用建议


    PN0303 MOSFET 广泛应用于多种场合,例如服务器电源系统中的 OR-ing 级联和 DC/DC 转换器。根据手册中的数据,PN0303 在 25°C 条件下可以承受高达 90A 的连续漏极电流,在高温度环境下也有优异的表现。
    使用建议:
    1. 散热管理: PN0303 在高负载条件下会产生较大热量,需要合理设计散热措施以避免热失控。
    2. 驱动电路: 建议使用合适的驱动电路来降低开关损耗,特别是在高频应用中。
    3. 热阻考虑: 在设计时需要考虑到热阻的影响,确保 MOSFET 不会因为过热而损坏。

    兼容性和支持


    PN0303 采用标准的 TO-220AB 封装,易于与其他电子元件集成。制造商提供详细的技术支持和维护服务,包括技术文档和在线支持。客户可以通过电话(400-655-8788)获取更多技术支持。

    常见问题与解决方案


    1. 过温保护不足:
    - 解决方法: 加强散热设计,如添加外部散热片或使用散热风扇。
    2. 开关频率过高导致的损耗增加:
    - 解决方法: 选择合适的驱动电路,降低开关频率或提高驱动信号的强度。
    3. 电流超限:
    - 解决方法: 确保外部电路的设计不会超过 MOSFET 的额定电流,必要时使用保险丝或断路器进行保护。

    总结和推荐


    PN0303 N-Channel 30-V MOSFET 具有优秀的性能参数和可靠性,适用于多种应用场景。其低导通电阻、高可靠性和良好的温度稳定性使其成为高性能电源管理系统的理想选择。对于需要高性能和可靠性的应用场景,强烈推荐使用 PN0303。

PN0303-VB TO220参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -

PN0303-VB TO220厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

PN0303-VB TO220数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 PN0303-VB TO220 PN0303-VB TO220数据手册

PN0303-VB TO220封装设计

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