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2N0404-VB TO263

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,40V,180A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO263适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、电动车辆和工业控制等领域的模块中。
供应商型号: 2N0404-VB TO263 TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2N0404-VB TO263

2N0404-VB TO263概述


    产品简介


    2N0404-VB TO263 MOSFET
    2N0404-VB 是一款高性能的N沟道功率MOSFET,采用TrenchFET® 技术制造,具备出色的性能和可靠性。这款MOSFET主要用于同步整流和电源管理等领域,适用于高效率的开关电源和DC-DC转换器等应用。

    技术参数


    - 最大耐压(VDS):150 V
    - 连续漏极电流(ID):150 A @ TC = 25°C,25°C时为110 A,70°C时为23 A
    - 脉冲漏极电流(IDM):380 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):320 mJ
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - VGS = 10 V, ID = 30 A 时:0.0017 Ω
    - VGS = 4.5 V, ID = 20 A 时:0.0025 Ω
    - 栅极电荷(Qg):120-180 nC
    - 栅极-源极电荷(Qgs):30 nC
    - 栅极-漏极电荷(Qgd):16 nC
    - 门极电阻(Rg):0.85-1.3 Ω
    - 工作温度范围(TJ):-55°C 至 150°C
    - 封装类型:D2PAK (TO-263)

    产品特点和优势


    - 高可靠性和耐用性:通过100% Rg 和 UIS 测试,确保产品在极端条件下的可靠性。
    - 低导通电阻(RDS(on)):在不同电压和电流下保持较低的导通电阻,实现高效的能量传输。
    - 快速开关特性:优秀的动态性能,如低开关延迟时间和快速恢复时间,有助于提高系统的整体效率。
    - 高温适应性:在宽广的工作温度范围内(-55°C 至 150°C)表现出色,适用于各种恶劣环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    2N0404-VB MOSFET 在多种应用中得到验证,例如:
    - 同步整流:用于DC-DC转换器中,替代二极管,提高系统效率。
    - 电源管理:在各种电源设计中作为关键组件,提升系统稳定性和效率。
    使用建议
    - 散热设计:由于其较高的电流能力,需要良好的散热设计以避免过热。
    - 栅极驱动电路:为了充分发挥其快速开关特性,建议使用低电阻栅极驱动器。
    - 系统匹配:在高频率应用中,考虑其动态特性,选择合适的外接电容以确保系统稳定。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与标准的TO-263封装兼容,可以轻松集成到现有的电路设计中。
    - 支持:由VBsemi提供完善的技术支持和维护服务,可以通过其官方服务热线(400-655-8788)获取详细的技术文档和帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热损坏 | 确保有良好的散热措施,合理规划散热器和PCB布局。 |
    | 开关损耗高 | 检查驱动电路是否合适,考虑使用更低电阻的栅极驱动器。 |
    | 噪声干扰 | 检查电路布线,确保去耦电容放置正确,减少EMI干扰。 |

    总结和推荐


    2N0404-VB TO263 MOSFET 是一款性能卓越、高度可靠的N沟道功率MOSFET,特别适合于要求高效、紧凑和稳定性的应用场合。其低导通电阻和快速开关特性使其在同步整流和电源管理中表现出色。对于需要高效率和高可靠性的应用,强烈推荐使用此产品。

2N0404-VB TO263参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
FET类型 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -

2N0404-VB TO263厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2N0404-VB TO263数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2N0404-VB TO263 2N0404-VB TO263数据手册

2N0404-VB TO263封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
800+ ¥ 4.9667
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