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9N60M2-VB TO220F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: 9N60M2-VB TO220F TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 9N60M2-VB TO220F

9N60M2-VB TO220F概述

    9N60M2-VB TO220F N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    9N60M2-VB TO220F 是一款高性能 N-通道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),设计用于各类高电压应用。其主要功能包括低导通电阻(RDS(on))、低输入电容(Ciss)和高开关频率能力。该产品广泛应用于服务器和电信电源供应系统、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源以及工业照明等领域。

    技术参数


    以下是9N60M2-VB TO220F的关键技术参数:
    - 最大漏源电压 (VDS):650V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):最大值 1.2 Ω (在 VGS = 10V、ID = 4A 条件下)
    - 总栅极电荷 (Qg):最大值 24 nC
    - 输入电容 (Ciss):典型值 35 pF
    - 输出电容 (Coss):典型值 178 pF
    - 反向传输电容 (Crss):典型值 156 pF
    - 脉冲电流能力 (IDS):最大值 110 A
    - 最大功耗 (PD):3.5 W
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 至 +150°C
    - 最大脉冲雪崩能量 (EAS):最大值 90 mJ

    产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(on)):显著降低了系统的损耗,提高了效率。
    - 低输入电容 (Ciss):减少了栅极驱动损耗,使得开关速度更快。
    - 超低栅极电荷 (Qg):进一步减小了开关损耗,有助于提高系统能效。
    - 卓越的雪崩能力:适用于需要较高耐压和可靠性的应用场合。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源供应系统:由于其高可靠性和高效能,非常适合高电流应用环境。
    - 开关模式电源供应 (SMPS):适用于需要快速响应和低损耗的应用,特别是在高频电路中。
    - 工业照明:例如 HID 和荧光灯的驱动控制,可以实现更精准的控制和更低能耗。
    使用建议:
    1. 在选择散热方式时,应充分考虑散热器的设计以确保在高温环境下正常工作。
    2. 使用高速栅极驱动器以减少开关时间,从而降低损耗。
    3. 确保电路设计具有较低的寄生电感,以防止过高的电压尖峰。

    兼容性和支持


    - 9N60M2-VB TO220F 与市面上主流的电源管理芯片高度兼容,可灵活应用于多种电路设计中。
    - 供应商提供全面的技术支持,包括应用指南、热管理建议和技术文档等资源。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高频应用中,栅极电容引起的震荡。
    解决方法:在栅极引脚处添加适当的阻尼网络(如RC电路)来抑制振荡。

    2. 问题:在高电流冲击下,器件损坏。
    解决方法:增加适当的电流限制保护电路,避免电流过载。

    总结和推荐


    9N60M2-VB TO220F MOSFET 以其优异的性能参数、高效的能效和广泛的应用场景,在服务器、通信、工业及照明等领域展现出强大的竞争力。鉴于其出色的可靠性与易用性,我们强烈推荐此产品作为高电压应用的理想选择。对于寻求高性能、高可靠性的系统设计师而言,9N60M2-VB TO220F 将是一个不错的选择。

9N60M2-VB TO220F参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -

9N60M2-VB TO220F厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

9N60M2-VB TO220F数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 9N60M2-VB TO220F 9N60M2-VB TO220F数据手册

9N60M2-VB TO220F封装设计

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