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5R140P-VB TO220F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F 该产品可用于设计各种类型的电力模块,包括交流/直流变换器和电机驱动器,以满足工业和商业领域的电力需求。
供应商型号: 5R140P-VB TO220F TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 5R140P-VB TO220F

5R140P-VB TO220F概述

    5R140P-VB TO220F N-Channel 650 V Super Junction Power MOSFET

    1. 产品简介


    5R140P-VB 是一款由 VBsemi 公司生产的 N-Channel 650V 超级结功率 MOSFET。该器件主要用于服务器和电信电源系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)及照明等领域。它具备低损耗、高效率等特性,使其成为高性能电源管理系统的理想选择。

    2. 技术参数


    - 主要电气参数:
    - 最大漏源电压 \(V{DS}\): 650V
    - 漏源导通电阻 \(R{DS(on)}\): 0.19Ω(\(V{GS} = 10V\))
    - 总栅极电荷 \(Qg\): 106nC(典型值)
    - 输入电容 \(C{iss}\): 2322pF
    - 输出电容 \(C{oss}\): 105pF
    - 反向传输电容 \(C{rss}\): 4pF
    - 额定单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\): 360mJ
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 \(V{DS}\): 650V
    - 栅源电压 \(V{GS}\): ±30V
    - 持续漏极电流 \(ID\): 25°C 时为 20A,100°C 时为 13A
    - 单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\): 360mJ
    - 最大功耗 \(PD\): 200W
    - 工作结温和存储温度范围 \(T{J, T{STG}}\): -55°C 至 +150°C
    - 热阻抗:
    - 最大结到环境热阻 \(R{thJA}\): 62°C/W
    - 最大结到外壳热阻 \(R{thJC}\): 0.5°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 低损耗特性:低通态电阻和低输入电容使得其在开关过程中具有低损耗特性,有助于提高整体系统效率。
    - 高可靠性:高耐压能力和高雪崩能量等级确保了其在极端条件下的可靠运行。
    - 快速开关能力:超低栅极电荷和快速的开关时间保证了高效稳定的电力转换。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:适用于服务器和电信电源系统、开关模式电源、功率因数校正电源及照明系统(如高强度放电灯和荧光灯球泡)。此外,在工业控制和其他高功率需求的应用中也有广泛应用。
    - 使用建议:在高功率应用中,需注意散热设计以避免过热。在开关模式电源中,应根据负载特性选择合适的栅极驱动电阻,以获得最佳的开关性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该器件采用 TO-220F 封装,易于安装和集成到现有的电源系统中。兼容多种电源设计和控制电路。
    - 支持:VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,包括产品文档、技术咨询和技术培训。如有需要,客户可以通过服务热线 400-655-8788 联系 VBsemi 获取帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q1: 如何确定栅极驱动电阻的最优值?
    - A: 通常情况下,最佳的栅极驱动电阻应该根据具体的应用来选择。对于高频率应用,建议使用较小的电阻以加快开关速度;而对于高功率应用,则可能需要较大的电阻以减少开关损耗。可以参考数据手册中的建议进行调整。

    - Q2: 如何处理过高的漏极电流导致的过热问题?
    - A: 过高的漏极电流可能导致器件过热,影响其正常工作。解决办法是加强散热措施,如加装散热片或改进风冷/水冷系统。同时,检查并调整负载条件,避免长时间处于过载状态。

    7. 总结和推荐


    5R140P-VB 是一款高性能的 N-Channel 650V 功率 MOSFET,具备优异的电气特性和可靠的性能表现。适用于高功率密度、高效率要求的应用场合。总体而言,推荐在服务器电源、电信电源系统、开关电源以及照明等领域使用此款产品。购买时建议与 VBsemi 官方联系,获取最新规格和支持。

5R140P-VB TO220F参数

参数
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
配置 -

5R140P-VB TO220F厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

5R140P-VB TO220F数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 5R140P-VB TO220F 5R140P-VB TO220F数据手册

5R140P-VB TO220F封装设计

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