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N10L26-VB TO220

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,100V,70A,RDS(ON),17mΩ@10V,20Vgs(±V);3.7Vth(V) 封装:TO220适用于需要高功率、高效能量转换和可靠性能的领域和模块,如电源模块、电动工具、汽车电子和工业自动化等。
供应商型号: N10L26-VB TO220 TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) N10L26-VB TO220

N10L26-VB TO220概述


    产品简介


    基本介绍
    本产品是一款N沟道100V(D-S)MOSFET,属于Power MOSFET的一种。它具有低导通电阻、高耐温能力和低热阻封装等特性。主要应用于隔离式DC/DC转换器中。
    主要功能
    1. 低导通电阻:典型值为0.017 Ω(在VGS=10V时)。
    2. 高温运行能力:可承受高达175℃的结温。
    3. 高可靠性测试:100%的Rg测试保证了产品的可靠性。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 100 V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±20 V
    - 持续漏极电流 (TJ = 175 °C):
    - TC = 25 °C: 70 A
    - TC = 125 °C: 35 A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 145 A
    - 最大功率耗散:
    - TC = 25 °C: 355 W
    - TA = 25 °C: 3.35 W
    - 工作结温和存储温度范围: -55 °C 至 175 °C
    额定值和特性
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压 \( V(BR)DSS \): 100 V
    - 栅阈值电压 \( V{GS(th)} \): 2 V 至 4 V
    - 零栅压漏极电流 \( I{DSS} \): 1 µA (在100V,0V下)
    - 动态参数:
    - 输入电容 \( C{iss} \): 1800 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 210 pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 110 pF
    - 总栅电荷 \( Qg \): 90 nC
    - 典型特性图:
    - 输出特性
    - 转导率
    - 电容
    - 转移特性
    - 门电阻 \( Rg \): 0.5 Ω 至 3.1 Ω

    产品特点和优势


    1. TrenchFET® 技术:采用先进的TrenchFET技术,实现了低导通电阻和高效能。
    2. 高温耐受性:能够在高达175℃的结温下正常工作。
    3. 低热阻封装:具有优异的散热性能,延长了产品寿命。
    4. 可靠性测试:所有产品都经过100% Rg测试,确保产品质量。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    本产品广泛应用于隔离式DC/DC转换器中,用于驱动和控制各种电源模块。例如,在太阳能逆变器、电动汽车充电站等场合,该MOSFET能够提供高效可靠的电力转换。
    使用建议
    - 散热管理:由于该MOSFET的高功耗特性,务必确保良好的散热措施,如使用散热片或热管。
    - 栅极驱动电路:设计时应考虑合适的栅极电阻,以避免过高的瞬态电流导致损坏。
    - 应用保护:在高负载条件下,建议使用外部保护电路(如保险丝、二极管等),以增加系统的安全性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该MOSFET与标准TO-220封装兼容,可以轻松替换其他品牌的同类产品。
    - 厂商支持:VBsemi公司提供全面的技术支持和售后服务,包括产品文档、技术咨询和定制化解决方案。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何正确选择栅极电阻?
    解答:选择合适的栅极电阻可以有效控制开关速度和减小EMI干扰。通常情况下,栅极电阻在1.5Ω至3.0Ω之间较为合适。具体数值需根据应用需求和系统特性进行调整。
    问题2:散热不良会导致哪些问题?
    解答:散热不足可能导致MOSFET过热,进而影响其正常工作甚至烧毁。有效的散热措施(如增加散热片、风扇等)可以显著改善这种情况。

    总结和推荐


    总体评估
    这款N-Channel 100-V (D-S) MOSFET凭借其低导通电阻、高耐温能力和优秀的散热性能,成为许多高压功率转换应用的理想选择。无论是太阳能逆变器还是电动汽车充电站,都能充分发挥其优势。
    推荐结论
    强烈推荐使用这款N-Channel 100-V (D-S) MOSFET,尤其适用于需要高效率和可靠性的高压转换场合。如果您需要进一步的技术支持或定制化解决方案,VBsemi公司的专业团队随时为您提供帮助。

N10L26-VB TO220参数

参数
FET类型 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -

N10L26-VB TO220厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

N10L26-VB TO220数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 N10L26-VB TO220 N10L26-VB TO220数据手册

N10L26-VB TO220封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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