处理中...

首页  >  产品百科  >  4N0403-VB TO220

4N0403-VB TO220

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,110A,RDS(ON),6mΩ@10V,7mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220 可用作开关电源的主动开关器件,适用于DC-DC变换器、电源逆变器等模块,提供高效、稳定的能量转换和电源输出。
供应商型号: 4N0403-VB TO220 TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4N0403-VB TO220

4N0403-VB TO220概述


    产品简介


    本产品是一款40V N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),型号为4N0403-VB。该器件采用了TrenchFET®技术,具有出色的开关性能和低导通电阻,特别适用于同步整流和电源供应等领域。4N0403-VB MOSFET在高电流和高电压的应用中表现出色,具备良好的热稳定性。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 40V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±20V
    - 连续漏极电流 ( \( TJ \) = 175°C):
    - \( TC \) = 25°C 时 110A
    - \( TA \) = 25°C 时 31A
    - \( TA \) = 70°C 时 25A
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 320V
    - 最大功率耗散 \( PD \):
    - \( TC \) = 25°C 时 312W
    - \( TC \) = 70°C 时 200W
    - 工作结温和存储温度范围 \( T{STG} \): -55°C 至 150°C
    额定工作条件
    - 泄漏栅源电压 \( I{GSS} \): \( V{DS} \) = 0V,\( V{GS} \) = ±20V 时,±100nA
    - 开启状态漏极电流 \( I{D(on)} \): \( V{DS} \geq 5V \),\( V{GS} \) = 10V 时,120A
    - 导通状态下漏源电阻 \( R{DS(on)} \):
    - \( V{GS} \) = 10V,\( I{D} \) = 30A 时,6mΩ
    - \( V{GS} \) = 4.5V,\( I{D} \) = 20A 时,7mΩ
    - 前向跨导 \( g{fs} \): \( V{DS} \) = 15V,\( I{D} \) = 30A 时,180S
    - 动态参数:
    - 输入电容 \( C{iss} \): 29pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 750pF
    - 反向转移电容 \( C{rss} \): 310pF
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 130nC

    产品特点和优势


    4N0403-VB MOSFET 的主要特点包括:
    - 低导通电阻:\( V{GS} \) = 10V 时,\( R{DS(on)} \) 仅 6mΩ,适合需要低损耗的高压应用。
    - 高耐压能力:最高可承受 40V 漏源电压,适合各种高压环境。
    - 快速开关特性:通过其快速的开关延迟时间和较低的栅极电阻(0.85Ω @ 1MHz),实现了高速的开关操作,适合高频应用。
    - 高可靠性:经过 100% 的 \( Rg \) 和 UIS 测试,确保产品的长期稳定性和可靠性。
    - 高耐雪崩能力:单脉冲雪崩能量高达 320V,能够承受瞬态过压冲击。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    4N0403-VB MOSFET 广泛应用于电源管理电路中,特别是在同步整流应用中表现出色。例如,在开关电源(SMPS)中,4N0403-VB MOSFET 能有效减少功耗并提高效率。
    使用建议
    1. 散热设计:由于其高功率耗散,建议在高温环境下使用时采用良好的散热措施,如散热片或风扇,以确保可靠运行。
    2. 驱动电路设计:选择合适的栅极电阻 \( Rg \) 以优化开关速度和降低电磁干扰(EMI)。在高频应用中,建议使用低电感的栅极驱动电路。
    3. 封装兼容性:4N0403-VB 采用 TO-220 封装,安装简单,易于与其他标准组件配合使用。

    兼容性和支持


    - 兼容性:4N0403-VB MOSFET 采用标准 TO-220 封装,易于与现有的 PCB 设计兼容,且便于手动或自动焊接。
    - 支持和服务:制造商提供详尽的技术支持文档和客户服务热线(400-655-8788),可解答用户关于产品使用、应用设计等方面的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 为什么产品温度升高后性能下降?
    - 解决方法: 由于高功率耗散导致结温升高,建议改善散热设计,如增加散热片面积或使用外部风扇。
    - 问题2: 如何避免在高电流条件下发生雪崩击穿?
    - 解决方法: 确保系统的电压和电流不超过额定值,必要时可添加额外的保护电路(如箝位二极管)。
    - 问题3: 如何优化开关时间?
    - 解决方法: 适当调整栅极电阻 \( Rg \) 和驱动信号,优化栅极驱动电路,以实现更短的开关时间。

    总结和推荐


    4N0403-VB MOSFET 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,适用于各种高电流和高电压应用。其低导通电阻、快速开关特性和高可靠性使其成为电源管理和同步整流领域的理想选择。推荐在需要高效率和高可靠性的应用中使用此产品,并建议客户根据具体应用需求进行详细的热设计和驱动电路设计。
    总之,4N0403-VB MOSFET 以其优异的性能和广泛的应用范围,是电子工程师在电源设计中的不二选择。

4N0403-VB TO220参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -

4N0403-VB TO220厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4N0403-VB TO220数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 4N0403-VB TO220 4N0403-VB TO220数据手册

4N0403-VB TO220封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.1091
100+ ¥ 2.8788
500+ ¥ 2.7636
1000+ ¥ 2.6485
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 31.09
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504