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2N03L13-VB TO263

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),12mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.2Vth(V) 封装:TO263\n适用于需要较高功率和电流的应用场合,能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,适用于要求高效率和高稳定性的电子设备和系统。
供应商型号: 2N03L13-VB TO263 TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2N03L13-VB TO263

2N03L13-VB TO263概述


    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET是一种高性能的电子元件,采用TrenchFET®技术制造,适用于多种高要求的应用场合。这种MOSFET的主要功能是在电路中充当开关,通过控制栅极电压来导通或切断电流流动。它广泛应用于电源管理、服务器系统、直流-直流转换器等领域。

    技术参数


    - 电压参数
    - 最大漏源电压 (VDS): 30V
    - 门源电压 (VGS): ±20V
    - 最大功率耗散 (PD):
    - 在环境温度为25°C时:120W
    - 在环境温度为70°C时:85W
    - 电流参数
    - 连续漏极电流 (ID):
    - 在环境温度为25°C时:46A
    - 在环境温度为70°C时:21A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 210A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 94.8mJ
    - 其他电气特性
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - 在VGS=10V时:0.012Ω
    - 在VGS=4.5V时:0.018Ω
    - 总栅极电荷 (Qg):
    - 在VDS=15V, VGS=10V时:25nC
    - 在VDS=15V, VGS=4.5V时:35nC
    - 工作环境
    - 工作结温 (TJ, Tstg): -55°C 至 175°C
    - 热阻参数:
    - 最大结点至环境热阻 (RthJA): 32°C/W
    - 最大结点至外壳热阻 (RthJC): 0.5°C/W

    产品特点和优势


    - TrenchFET®技术: 高效、低损耗,提升整体性能。
    - 100% Rg和UIS测试: 保证产品质量和可靠性。
    - 符合RoHS标准: 无有害物质,绿色环保。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    N-Channel 30-V MOSFET广泛应用于多个领域,例如:
    - OR-ing电路: 用于系统冗余和保护。
    - 服务器系统: 保障数据中心的稳定运行。
    - DC/DC转换器: 实现高效能的电源转换。
    使用建议
    - 在使用过程中注意散热管理,避免长时间超负荷工作导致过热损坏。
    - 在复杂电路中合理配置并联MOSFET以提高整体负载能力。

    兼容性和支持


    N-Channel 30-V MOSFET适用于多种封装形式,包括TO-263和D2PAK。提供详细的设计指南和支持文档,便于客户快速集成和应用。厂商提供技术支持和售后服务,确保用户能够获得及时的帮助和解决方案。

    常见问题与解决方案


    1. 如何判断MOSFET是否过热?
    - 解决方法:定期检查MOSFET表面温度,如果超过最大允许温度则需要采取措施改善散热。

    2. 栅极驱动电压不足怎么办?
    - 解决方法:增加栅极驱动电路的电压或调整驱动信号强度,确保栅极电压达到指定阈值。
    3. MOSFET损坏后如何更换?
    - 解决方法:参照产品手册进行正确焊接操作,确保焊点牢固且无虚焊现象。

    总结和推荐


    N-Channel 30-V MOSFET凭借其高效的TrenchFET®技术、可靠的质量保证以及广泛的应用范围,在同类产品中具有显著的竞争优势。对于需要高效率和可靠性的应用场景,如服务器系统和电源管理,此款MOSFET是一个理想的选择。我们强烈推荐在这些领域使用这款产品,相信它将为您提供满意的性能表现。

2N03L13-VB TO263参数

参数
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
配置 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -

2N03L13-VB TO263厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2N03L13-VB TO263数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2N03L13-VB TO263 2N03L13-VB TO263数据手册

2N03L13-VB TO263封装设计

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