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8N50-VB TO220F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: 8N50-VB TO220F TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 8N50-VB TO220F

8N50-VB TO220F概述

    8N50-VB TO220F 技术手册

    产品简介


    8N50-VB 是一款由 VBsemi 生产的 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用 TO220F 封装。该器件适用于高电压应用,具有低导通电阻和高雪崩耐量等特点。8N50-VB 的主要功能包括作为开关和整流器使用,在服务器电源、电信电源、功率因数校正电源以及工业照明系统中得到广泛应用。

    技术参数


    - 最高工作电压 (VDS):650 V
    - 最大连续漏极电流 (ID):25°C 下为 12 A,100°C 下为 9.4 A
    - 总栅极电荷 (Qg):最大值为 43 nC
    - 输入电容 (Ciss):最大值为 63 pF
    - 输出电容 (Coss):最大值为 22 nC
    - 零门电压漏极电流 (IDSS):最大值为 1 μA(VDS=650V)
    - 热阻 (RthJA):60 °C/W
    - 反向恢复时间 (trr):最大值为 345 ns
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):45 A
    - 温度范围:工作温度范围为 -55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    1. 低电阻乘积 (Ron x Qg):这种设计降低了导通损耗和开关损耗,提高了能效。
    2. 低输入电容 (Ciss):降低了驱动损耗,简化了驱动电路设计。
    3. 低栅极电荷 (Qg):减少了开关过程中的能量消耗。
    4. 增强的雪崩耐量 (UIS):能够承受高能量的瞬态过压。

    应用案例和使用建议


    8N50-VB 可广泛应用于服务器和电信电源系统中,因其具备高可靠性。在开关模式电源(SMPS)中,该器件可有效减少损耗,提高效率。在工业照明系统中,尤其是在 HID 和荧光灯的驱动电路中,其高性能表现使其成为理想选择。
    使用建议:
    - 确保在 PCB 设计时考虑栅极和漏极之间的走线,以减少寄生电感的影响。
    - 使用热管理策略,如良好的散热片,以确保在高功率应用中的可靠运行。

    兼容性和支持


    8N50-VB 与各种标准电源系统兼容,提供 650V 的高电压操作能力。VBsemi 提供详尽的技术支持和售后服务,包括产品规格变更通知和技术咨询,帮助客户实现最佳应用效果。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 如何防止器件过热?
    - A: 使用合适的散热器并保持良好的通风条件。确保电路板布局合理,避免过高的局部温升。
    2. Q: 如何减小驱动损耗?
    - A: 减少驱动电路中的电阻,尽量选择低输入电容的驱动器。
    3. Q: 如何提升开关速度?
    - A: 使用高速驱动器并降低栅极电荷,通过优化 PCB 设计减少寄生电感的影响。

    总结和推荐


    综上所述,8N50-VB 是一款高效且可靠的 N 沟道 MOSFET,特别适合高电压、大电流的应用场合。其优秀的电气特性和良好的热稳定性使其成为服务器电源、电信电源和工业照明系统中的理想选择。强烈推荐在需要高可靠性和高性能的场合使用 8N50-VB。
    联系方式:
    服务热线:400-655-8788
    官方网站:www.VBsemi.com

8N50-VB TO220F参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
配置 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -

8N50-VB TO220F厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

8N50-VB TO220F数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 8N50-VB TO220F 8N50-VB TO220F数据手册

8N50-VB TO220F封装设计

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