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40N03-VB TO220

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,80A,RDS(ON),6mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220 适用于电源模块、电机驱动器、照明控制模块等领域,可用于开关电源、电动汽车、LED照明系统等模块中的功率开关和控制器,以实现高效能量转换和稳定性能输出。
供应商型号: 40N03-VB TO220 TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 40N03-VB TO220

40N03-VB TO220概述


    产品简介


    产品名称:40N03-VB TO220
    产品类型:N沟道30V(D-S)功率MOSFET
    主要功能:
    - 用于高压和高频开关应用,具有低导通电阻和高电流承载能力。
    - 适用于各种电子设备,如电源转换器、电机驱动器、电池充电器等。
    应用领域:
    - 电源管理电路
    - 工业自动化设备
    - 通信设备
    - 汽车电子系统

    技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 \(V{DS}\): 30 V
    - 栅源电压 \(V{GS}\): ±20 V
    - 连续漏极电流 \(ID\): 80 A(\(TA = 25 °C\))
    - 单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\): 94.8 mJ
    - 最大功率耗散 \(PD\): 120 W(\(TA = 25 °C\))
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压 \(V{DS}\): 30 V
    - 门限电压 \(V{GS(th)}\): 1.0 ~ 2.5 V
    - 门源泄漏电流 \(I{GSS}\): ±100 nA
    - 开态漏极电流 \(I{D(on)}\): 90 A(\(V{DS} \geq 5 V, V{GS}\))
    - 导通电阻 \(R{DS(on)}\):
    - \(V{GS} = 10 V\): 0.006 Ω
    - \(V{GS} = 4.5 V\): 0.009 Ω
    - 动态参数:
    - 输入电容 \(C{iss}\): 1600 pF
    - 输出电容 \(C{oss}\): 525 pF
    - 反向传输电容 \(C{rss}\): 370 pF
    - 总栅极电荷 \(Qg\): 35 ~ 45 nC

    产品特点和优势


    - 高性能TrenchFET技术: 采用先进的沟槽场效应技术,确保低导通电阻和高效率。
    - 100% Rg和UIS测试: 所有产品均经过严格的栅极电阻和雪崩测试,保证高可靠性和一致性。
    - 符合RoHS标准: 符合欧盟RoHS指令要求,环保无害。

    应用案例和使用建议


    - 电源转换器: 在电源转换器中,40N03-VB可以有效地提高能效,降低损耗。
    - 电机驱动器: 适合高功率电机驱动应用,能够承受高电流并保持高效运行。
    - 建议: 在设计中,注意选择合适的散热片以避免过热;使用时遵循安全操作规范,防止误操作导致损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品可与多种标准接口兼容,广泛应用于不同类型的电路板。
    - 厂商支持: 提供详尽的技术文档和技术支持服务,帮助用户快速解决问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确定合适的散热片?
    - 解决方案:根据最大功率耗散和工作环境温度计算散热需求,选择合适尺寸的散热片。
    2. 问题:如何测试漏极电流和门源电压?
    - 解决方案:使用数字万用表进行精确测量,确保电压和电流处于规定的范围内。

    总结和推荐


    综述:
    40N03-VB TO220 MOSFET具有低导通电阻、高可靠性和宽工作温度范围,非常适合各种高压和高频应用。它在电源管理和工业自动化领域的表现尤为突出。
    推荐:
    强烈推荐给需要高效、可靠的电源管理解决方案的工程师和技术人员。其卓越的性能和广泛的应用领域使其成为市场上极具竞争力的产品。

40N03-VB TO220参数

参数
配置 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
FET类型 -

40N03-VB TO220厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

40N03-VB TO220数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 40N03-VB TO220 40N03-VB TO220数据手册

40N03-VB TO220封装设计

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500+ ¥ 1.7275
1000+ ¥ 1.6556
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