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TK30J25D-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,250V,60A,RDS(ON)0.040mΩ@10V,±30Vgs(±V);Vth=2-4V;封装TO3P
供应商型号: TK30J25D-VB TO3P
供应商: 期货订购
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) TK30J25D-VB

TK30J25D-VB概述


    产品简介


    TK30J25D-VB N-Channel MOSFET
    TK30J25D-VB 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel MOSFET),专为工业级应用设计。它采用先进的 TrenchFET 技术,能够在高达 175 °C 的结温下稳定运行。该器件具有低导通电阻和高击穿电压的特点,适用于各种功率转换和控制电路。

    技术参数


    - 漏源电压 (VDS): 250 V
    - 栅源电压 (VGS): ±30 V
    - 连续漏极电流 (TJ = 175 °C): 60 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 200 A
    - 雪崩电流 (IAR): 35 A
    - 重复雪崩能量 (EAR): 61 mJ (TC = 25 °C)
    - 最大功率耗散 (PD): 300 W (TA = 25 °C)
    - 热阻 (Junction-to-Ambient, PCB Mount): 40 °C/W
    - 热阻 (Junction-to-Case, Drain): 0.5 °C/W
    - 栅源泄漏电流 (IGSS): ±250 nA
    - 零栅压漏极电流 (IDSS): 1 µA
    - 阈值电压 (VGS(th)): 2 ~ 4 V
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - 在 VGS = 10 V 时为 0.040 Ω
    - 在 VGS = 10 V, TJ = 175 °C 时为 0.123 Ω
    - 输出电容 (Coss): 300 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 170 pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 95 nC (VDS = 125 V, VGS = 10 V, ID = 45 A)
    - 关断延迟时间 (td(off)): 40 ~ 60 ns
    - 开关频率下的上升时间 (tr): 220 ~ 330 ns

    产品特点和优势


    1. 先进的 TrenchFET 技术:确保更高的效率和更低的损耗。
    2. 高温操作能力:能够在高达 175 °C 的环境下工作,提高了可靠性。
    3. 新低热阻封装:提供更好的散热性能,延长器件寿命。
    4. 符合 RoHS 标准:环保设计,适用于各种应用场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 工业自动化设备:由于其高可靠性和宽工作温度范围,适用于工业自动化设备中的电源管理。
    - 电力转换设备:广泛应用于各类电力转换设备中,如逆变器、电机驱动等。
    使用建议:
    - 散热管理:由于高功耗和高电流要求,需要有效的散热措施以确保长期稳定性。
    - 正确布局:为了减少寄生电感和电容的影响,在 PCB 布局时需注意合理的走线和封装选择。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该器件与常见的工业标准 PCB 和连接器相兼容。
    - 支持:制造商提供详尽的技术文档和支持,包括应用指南和软件工具。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:器件在高温环境中表现不佳。
    解决方案:确认正确的散热设计,并考虑使用更大的散热片或散热风扇。
    2. 问题:器件出现意外损坏。
    解决方案:检查是否超出了绝对最大额定值,并按照手册中的指导进行操作。

    总结和推荐


    总结:
    TK30J25D-VB N-Channel MOSFET 是一款非常出色的电子元器件,具备优秀的电气特性和高效能。它的高可靠性和宽工作温度范围使其成为工业应用的理想选择。
    推荐:
    强烈推荐 TK30J25D-VB MOSFET 用于需要高可靠性、高效率和宽工作温度范围的应用。它适用于工业自动化设备、电力转换设备等应用场合。

TK30J25D-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通用封装 TO-3P

TK30J25D-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

TK30J25D-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 TK30J25D-VB TK30J25D-VB数据手册

TK30J25D-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 11.6277
500+ ¥ 10.6975
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