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IPB200N25N3 G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N-Channel 250V(D-S) MOSFET,80A,\nRDS(ON)0.016mΩ@10V,±20Vgs(±V);Vth=2.5-4.5V;封装TO263
供应商型号: IPB200N25N3 G-VB TO263
供应商: 期货订购
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPB200N25N3 G-VB

IPB200N25N3 G-VB概述

    IPB200N25N3 G-VB MOSFET 技术手册

    产品简介


    IPB200N25N3 G-VB 是一款高性能 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有250V的漏源电压耐受能力。这款MOSFET 主要用于电源管理、照明系统、同步整流、直流/直流转换器、电机驱动开关、直流/交流逆变器等领域。该产品采用SGT(超薄层)技术,具备出色的热稳定性和可靠性。

    技术参数


    - 漏源电压 (VDS): 250V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 最大连续漏电流 (TJ = 25 °C): 80A
    - 最大脉冲漏电流 (t = 100 μs): 240A
    - 单次雪崩能量 (EAS): 110mJ
    - 最大功率耗散 (Tc = 25 °C): 300W
    - 结到环境的热阻 (PCB安装): 40°C/W
    - 静态门阈电压 (VGS(th)): 2.5 - 4.5V
    - 零栅压漏电流 (IDSS): ≤1μA @ VDS = 250V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 0.016Ω @ VGS = 10V, ID = 30A
    - 输入电容 (Ciss): 8000pF @ VGS = 0V, VDS = 60V
    - 输出电容 (Coss): 246pF
    - 反向传输电容 (Crss): 21pF
    - 总栅电荷 (Qg): 75nC @ VDS = 60V, VGS = 10V, ID = 60A
    - 上升时间 (tr): 118ns @ VDD = 60V, RL = 1.66Ω

    产品特点和优势


    - SGT技术: 该技术使IPB200N25N3 G-VB具备卓越的导电性能和较低的导通电阻,有效降低功耗并提高效率。
    - 高可靠性和稳定性: 经过100% Rg和UIS测试,确保其在极端条件下依然能够保持良好的性能。
    - 宽工作温度范围: 能够在-55°C至+150°C的环境中正常工作,适用于各种恶劣环境条件。
    - 高效的热管理: 结到环境的热阻为40°C/W,保证了高效的散热效果。

    应用案例和使用建议


    - 电源管理系统: 可以用于不间断电源、AC/DC开关电源等场景,帮助提高系统的稳定性和可靠性。
    - 同步整流: 在同步整流电路中,可以显著降低开关损耗,提升系统整体效率。
    - 电机驱动: 高效的电流控制能力和低导通电阻使其成为电机驱动应用的理想选择。
    - 使用建议: 为了最大化其性能,建议在设计时考虑其封装的热阻特性,合理布局散热片,避免过热。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品与多种标准电源管理IC和控制电路兼容,可广泛应用于各类电子系统中。
    - 支持: 制造商提供详细的技术文档和支持服务,用户可以在遇到问题时及时获得技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关过程中出现异常高温。
    - 解决方案: 确保良好的散热设计,使用散热片或者加装风扇辅助散热。
    - 问题2: 导通电阻较高。
    - 解决方案: 选择合适的栅极电压(通常为10V),并确保栅极驱动信号足够强。
    - 问题3: 开关延迟时间长。
    - 解决方案: 使用更低的栅极电阻(例如1Ω),减少栅极电荷的时间常数。

    总结和推荐


    IPB200N25N3 G-VB是一款高性能、高效能的N沟道MOSFET,特别适合于高要求的电源管理和电机控制系统。其优秀的热管理和可靠性使其成为许多关键应用的理想选择。强烈推荐在需要高效率和高可靠性的电子系统中使用此产品。

IPB200N25N3 G-VB参数

参数
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-263

IPB200N25N3 G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPB200N25N3 G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPB200N25N3 G-VB IPB200N25N3 G-VB数据手册

IPB200N25N3 G-VB封装设计

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