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RCX330N25-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,250V,40A,Power MOSFET RDS(ON)0.040mΩ@10V,±20Vgs(±V);Vth=2-4V;封装TO220F
供应商型号: RCX330N25-VB TO220F
供应商: 期货订购
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) RCX330N25-VB

RCX330N25-VB概述

    RCX330N25-VB 250V N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    RCX330N25-VB 是一款250V N-通道功率MOSFET,具有表面贴装和低轮廓通孔两种封装形式。适用于需要高可靠性的各种工业、消费电子及汽车应用。该产品符合RoHS指令2002/95/EC,并且不含卤素,以满足环保要求。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | 250 | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 零栅电压漏电流 | IDSS | - | - | 25 | μA |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 0.040 | - | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | - | 1300 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 430 | - | pF |
    | 反向转移电容 | Crss | - | 130 | - | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 70 | - | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | - | 13 | - | nC |
    | 栅极电荷 | Qgd | - | 39 | - | nC |

    产品特点和优势


    1. 高温性能: 能够在150°C的工作温度下正常运行。
    2. 快速开关: 快速的开关速度,适合高频应用。
    3. 全雪崩额定值: 适用于需要极高可靠性的应用场合。
    4. 无卤素设计: 符合IEC 61249-2-21标准,更加环保。

    应用案例和使用建议


    该MOSFET可广泛应用于电动机驱动、电源转换器、汽车电子系统等领域。建议在使用时注意散热设计,以确保在高温环境下也能保持稳定工作。通过优化电路布局,减少杂散电感,可以进一步提高产品的可靠性和效率。

    兼容性和支持


    该产品支持标准的表面贴装工艺(SMD),并且可以与其他符合RoHS标准的电子元器件兼容。制造商提供全面的技术支持和售后服务,确保客户能够顺利进行产品集成和测试。

    常见问题与解决方案


    1. 热管理不佳导致过温保护:
    - 解决办法: 改进散热设计,增加散热片或风扇辅助散热。
    2. 驱动信号不正确导致导通不良:
    - 解决办法: 确保驱动信号波形正确,检查驱动电路是否正常。
    3. 电磁干扰问题:
    - 解决办法: 使用屏蔽材料包裹电路板,减少外界干扰。

    总结和推荐


    RCX330N25-VB 是一款出色的功率MOSFET,具备高效能、高可靠性以及广泛的适用范围。其优异的高温性能、快速开关能力和全雪崩额定值使其成为工业、汽车和消费电子产品中的理想选择。总体而言,我们强烈推荐此款产品给寻求高性能、高可靠性的应用开发者和制造商。

RCX330N25-VB参数

参数 值
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220F

RCX330N25-VB厂商介绍

VBsemi是深圳市微碧半导体有限公司旗下品牌,成立于2003年,专注于MOSFET的设计、生产和销售,产品包括MOSFET、IGBT、SiC MOSFET和GaN HEMT,应用于工业自动化、新能源、绿色照明及消费电子等领域。

在云汉芯城,用户可通过完整 MPN、产品类别或 BOM 查询 VBsemi/微碧半导体 相关型号,如 BSS84LT1G、IRF4905PBF、IRLML2502TRPBF、FDD4141 等,并进一步核对 datasheet、库存、MOQ/SPQ、交期、合规文件需求和可替代型号信息。

【采购提示】型号规格请以 datasheet 为准;库存、价格、MOQ/SPQ 和交期请以实时查询、RFQ 回复或销售确认为准。

RCX330N25-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 RCX330N25-VB RCX330N25-VB数据手册

RCX330N25-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 10.7639
100+ ¥ 9.9666
500+ ¥ 9.1693
1000+ ¥ 8.7706
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