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FDPF44N25T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,250V,40A,Power MOSFET RDS(ON)0.040mΩ@10V,±20Vgs(±V);Vth=2-4V;封装TO220F
供应商型号: FDPF44N25T-VB TO220F
供应商: 期货订购
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDPF44N25T-VB

FDPF44N25T-VB概述

    FDPF44N25T-VB 功率 MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FDPF44N25T-VB 是一款高性能的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种应用场合。它的主要特点包括表面贴装、低轮廓通孔安装、动态 dv/dt 评级、全雪崩额定值,以及在高温下的出色性能。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | 250 | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 栅源漏电流 | IDS | - | - | 25 | μA |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 0.040 | - | Ω |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | - | 70 | nC |
    | 栅源电荷 | QGS | - | - | 13 | nC |
    | 栅极电荷 | QGD | - | - | 39 | nC |
    | 最大脉冲漏电流 | IDM | - | - | 150 | A |
    | 连续漏电流 | ID | - | 40 | 33 | A |
    | 雪崩能量 | EAS | - | - | 580 | mJ |

    3. 产品特点和优势


    - 绿色环保:符合IEC 61249-2-21和RoHS指令的要求。
    - 快速开关:具有快速开关性能,非常适合高频应用。
    - 高可靠性:全雪崩额定值,适合在极端条件下工作。
    - 表面贴装:提供灵活的安装选项,便于自动化生产。

    4. 应用案例和使用建议


    - 开关电源:FDPF44N25T-VB 在开关电源中表现出色,适用于各种直流-直流转换器。
    - 电机驱动:在电机控制电路中,该器件可以提高效率并减少热量产生。
    - 电池管理:适用于电池管理系统中的开关应用,确保高效能和长寿命。
    使用建议:
    - 在设计电路时,需注意寄生电感的影响,尽量减少引线长度,使用接地平面以减少杂散电感。
    - 需要确保栅极驱动器的强度足够,以避免损坏器件。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:FDPF44N25T-VB 可与大多数标准表面贴装设备兼容。
    - 支持:台湾VBsemi提供全面的技术支持,包括数据手册、应用指南和技术文档。客户服务热线为400-655-8788。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:启动时过大的瞬态热阻导致器件损坏。
    解决办法:确保散热片或散热器能够有效散热,选择合适的散热方案。
    - 问题2:在高频应用中出现过压现象。
    解决办法:增加外部缓冲电路,如RC网络,以减缓dv/dt。

    7. 总结和推荐


    FDPF44N25T-VB 是一款高性能、可靠且环保的功率 MOSFET,适用于各种工业和消费电子应用。其优异的温度特性、快速开关能力和广泛的适用范围使其成为市场上极具竞争力的产品。强烈推荐使用这款器件,特别是在需要高性能和稳定性的场合。
    通过以上详细的分析和总结,FDPF44N25T-VB 功率 MOSFET 展现出了出色的性能和广泛应用前景。如果您有任何疑问或需要进一步的技术支持,请随时联系我们的客服团队。

FDPF44N25T-VB参数

参数
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 TO-220F

FDPF44N25T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDPF44N25T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FDPF44N25T-VB FDPF44N25T-VB数据手册

FDPF44N25T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 9.9666
500+ ¥ 9.1693
1000+ ¥ 8.7706
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