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IXTP1R4N120P-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO220 P—Channel沟道;VDS=1500V;ID=3A;RDS(ON)=6000mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=2-4V;
供应商型号: 14M-IXTP1R4N120P-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXTP1R4N120P-VB

IXTP1R4N120P-VB概述

    IXTP1R4N120P-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IXTP1R4N120P-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种电力转换和控制应用。其主要功能包括动态dv/dt额定值、重复雪崩额定值、隔离中心安装孔、快速开关、并联容易、驱动需求简单且符合RoHS指令2002/95/EC。该产品广泛应用于电源管理、逆变器、电机驱动器等领域。

    2. 技术参数


    - 额定电压 \(V{DS}\):1500 V
    - 漏极电流 \(ID\):25 °C 时 25 A,100 °C 时 25 A
    - 最大栅极源极电压 \(V{GS}\):± 30 V
    - 雪崩能量 \(E{AS}\):470 mJ
    - 重复雪崩电流 \(I{AR}\):4.8 A
    - 重复雪崩能量 \(E{AR}\):19 mJ
    - 最大功耗 \(PD\):25 °C 时 120 W
    - 热阻抗 \(R{thJA}\):40 °C/W
    - 开启电阻 \(R{DS(on)}\):VGS = 10 V 时 —— Ω
    - 输入电容 \(C{iss}\):-500 pF
    - 输出电容 \(C{oss}\):—— pF
    - 门极电荷 \(Qg\):200 nC
    - 门极源极电荷 \(Q{gs}\):24 nC
    - 门极漏极电荷 \(Q{gd}\):110 nC

    3. 产品特点和优势


    - 动态dv/dt额定值:能够承受高频率的电压变化。
    - 重复雪崩额定值:具备较高的重复雪崩能力,提高了可靠性。
    - 隔离中心安装孔:易于散热和固定,提高结构稳定性。
    - 快速开关:适用于高速应用,减少能量损耗。
    - 易于并联:可以实现多个单元的并联操作,提供更高的电流处理能力。
    - 简单的驱动要求:降低了外部电路设计的复杂度。
    - RoHS合规:符合欧盟的环保标准,对环境友好。

    4. 应用案例和使用建议


    IXTP1R4N120P-VB 可以应用于多种电力转换和控制场合,例如逆变器、DC-DC转换器、电机驱动器等。在实际应用中,建议采取以下措施:
    - 散热设计:确保良好的散热设计,特别是对于大功率应用,避免过热导致的损坏。
    - 电路布局:降低寄生电感,采用接地平面和低泄漏电感设计。
    - 门驱动电路:采用与D.U.T相同的门驱动电路,以减少电磁干扰。

    5. 兼容性和支持


    该产品与其他标准的N-Channel MOSFET和电力设备具有良好的兼容性。厂商提供了详细的技术支持和维护文档,用户可以通过官方网站和客服热线获取帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热损坏 | 改善散热设计,增加散热片或使用散热器 |
    | 驱动电压不匹配 | 检查驱动电路,调整驱动电压至合适的范围 |
    | 高频噪声干扰 | 使用屏蔽电缆和滤波器,减少外部干扰 |

    7. 总结和推荐


    综上所述,IXTP1R4N120P-VB是一款功能强大、可靠性高的N-Channel MOSFET,适用于各种电力转换和控制应用。其快速开关、易于并联等特点使其在市场上具有较强的竞争力。对于需要高效、可靠电力控制的应用场合,强烈推荐使用此产品。如果有任何疑问,可以通过官方渠道获得详细的技术支持和指导。
    服务热线:400-655-8788
    官方网站:www.VBsemi.com

IXTP1R4N120P-VB参数

参数
通道数量 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通用封装 TO-220

IXTP1R4N120P-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXTP1R4N120P-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IXTP1R4N120P-VB IXTP1R4N120P-VB数据手册

IXTP1R4N120P-VB封装设计

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1000+ ¥ 10.437
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