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IXTP3N120-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO220 P—Channel沟道;VDS=1500V;ID=3A;RDS(ON)=6000mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=2-4V;
供应商型号: 14M-IXTP3N120-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXTP3N120-VB

IXTP3N120-VB概述

    IXTP3N120-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    IXTP3N120-VB 是一款 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种电力转换和控制应用。该产品具备动态 dV/dt 额定值、重复雪崩额定值以及简化的驱动需求等特点。它符合 RoHS(有害物质限制指令)要求,确保了环保合规性。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压(VDS) 1500 | V |
    | 栅源电压(VGS) | ±30 ±30 | V |
    | 连续漏极电流(ID) 25°C | 25 | A |
    | 脉冲漏极电流(IDM) | 9 A |
    | 最大雪崩能量(EAS) | 470 mJ |
    | 反复雪崩电流(IAR) | 4.8 A |
    | 反复雪崩能量(EAR) | 19 mJ |
    | 最大功率耗散(PD) 25°C | 120 | W |
    | 热阻抗(RthJA) 40 | °C/W |

    产品特点和优势


    - 动态 dV/dt 额定值:能够在高开关频率下实现更安全的操作。
    - 重复雪崩额定值:具有优异的热稳定性。
    - 简易驱动要求:简化了设计和制造过程。
    - 快速开关特性:降低功耗并提高效率。
    - 符合 RoHS 指令:确保了环保合规性。

    应用案例和使用建议


    - 电源管理:用于各种 DC/DC 转换器、充电电路等。
    - 电机驱动:用于电动汽车和其他电动机控制系统。
    - 电源开关:应用于家用电器和工业设备的电源开关电路。
    使用建议:
    - 在选择合适的驱动器时,确保能够满足产品的快速开关要求。
    - 注意散热设计以保证器件正常运行。
    - 在高频应用中,考虑使用低电感引线布局以减少寄生效应。

    兼容性和支持


    - 与其他标准 TO-220 封装的组件具有良好的兼容性。
    - 厂商提供详尽的技术支持和维护服务,帮助客户解决使用中的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题:开关过程中温度过高
    - 解决方案:增加散热措施,如使用更大的散热器或优化 PCB 布局。
    - 问题:驱动电压不稳定
    - 解决方案:检查驱动电路,确保稳定且足够的驱动电压。

    总结和推荐


    IXTP3N120-VB N 沟道 MOSFET 在性能、可靠性方面表现出色,尤其适用于电源管理和电机驱动应用。其独特的快速开关特性和简易驱动要求使其在市场上具有较强的竞争力。总体而言,我们强烈推荐此产品给需要高效能、高可靠性的客户。

IXTP3N120-VB参数

参数
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
通用封装 TO-220

IXTP3N120-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXTP3N120-VB数据手册

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IXTP3N120-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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10+ ¥ 13.0463
30+ ¥ 12.3157
100+ ¥ 10.8463
1000+ ¥ 10.437
3000+ ¥ 10.2324
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