处理中...

首页  >  产品百科  >  NCE70R260-VB

NCE70R260-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: NCE70R260-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCE70R260-VB

NCE70R260-VB概述


    产品简介


    NCE70R260-VB 电子元器件
    NCE70R260-VB 是一款高性能的 N 沟道超级结 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种高要求的应用场合。它具有低导通电阻(RDS(on))和低门极电荷(Qg),使其成为电信、照明、消费电子产品、工业设备和可再生能源系统中的理想选择。

    技术参数


    - 电压参数
    - 最大漏源电压 (VDS): 650V
    - 最大功率耗散 (PD): 208W
    - 电流参数
    - 最大连续漏极电流 (ID): 13A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 60A
    - 电阻参数
    - 导通电阻 (RDS(on)): 0.19Ω (在 VGS = 10V 和 ID = 11A 条件下)
    - 电容参数
    - 输入电容 (Ciss): 2322pF (在 VGS = 0V 和 VDS = 100V 条件下)
    - 输出电容 (Coss): 105pF
    - 反向转移电容 (Crss): 4pF
    - 其他参数
    - 有效输出电容,能量相关 (Co(er)): 84pF
    - 有效输出电容,时间相关 (Co(tr)): 293pF
    - 总门极电荷 (Qg): 71nC 至 106nC
    - 开启延迟时间 (td(on)): 22ns 至 44ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 68ns 至 102ns

    产品特点和优势


    1. 低损耗特性:通过降低反向恢复时间 (trr)、恢复电荷 (Qrr) 和恢复峰值电流 (IRRM),显著减少开关损耗。
    2. 高效能:低导通电阻 (RDS(on)) 和低门极电荷 (Qg) 确保高效能运行。
    3. 快速响应:超低门极电荷 (Qg) 和快速开关时间确保快速响应。
    4. 可靠性:经过重复测试和严格的绝对最大额定值标准,确保在各种极端条件下的可靠性和稳定性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电信领域:服务器和电信电源供应系统。
    - 照明领域:高强度放电灯 (HID) 和荧光灯镇流器。
    - 消费及计算领域:ATX 电源供应系统。
    - 工业领域:焊接机和电池充电器。
    - 可再生能源:太阳能光伏逆变器。
    - 开关模式电源 (SMPS):广泛应用于各种电子设备中。
    使用建议
    - 电路设计:在使用 NCE70R260-VB 时,应特别注意电路设计以减少杂散电感和提高整体效率。
    - 散热管理:鉴于其较高的最大功率耗散 (208W),需要有效的散热方案来保证稳定工作温度。
    - 驱动电路:使用适合的驱动电路以确保门极电荷和开关速度的优化。

    兼容性和支持


    NCE70R260-VB 设计为易于与其他主流电子元器件和设备兼容。台湾 VBsemi 公司提供了详细的技术文档和支持服务,包括电话咨询热线 (400-655-8788) 和官方网站 (www.VBsemi.com),确保客户在使用过程中得到及时帮助和技术支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 开关过程中过热
    - 解决方案: 检查散热设计是否合理,确保安装合适的散热片并使用风扇辅助散热。

    2. 问题: 高频切换导致效率下降
    - 解决方案: 优化电路布局以减少杂散电感,并选择合适的电容以改善高频特性。

    总结和推荐


    NCE70R260-VB 是一款性能卓越的 N 沟道超级结 MOSFET,适用于高效率、高可靠性的应用需求。
    其出色的低损耗特性、快速响应能力和高效的开关性能使其在各类高要求的电子系统中表现优异。因此,强烈推荐该产品用于对性能要求严格的电力电子应用中。

NCE70R260-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
栅极电荷 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
通用封装 TO-220

NCE70R260-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCE70R260-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NCE70R260-VB NCE70R260-VB数据手册

NCE70R260-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 10.7639
100+ ¥ 9.9666
500+ ¥ 9.1693
1000+ ¥ 8.7706
库存: 30000
起订量: 5 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 53.81
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336