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VBM165R15S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,15A,RDS(ON),300mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: VBM165R15S TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBM165R15S

VBM165R15S概述

    VBM165R15S N-Channel 650V (D-S) Super Junction Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    VBM165R15S 是一款 N-Channel 650V(D-S)超级结功率 MOSFET。它主要用于高压开关电源(如服务器和电信电源、开关模式电源、功率因数校正电源)以及照明系统(如高强度放电灯、荧光灯)、工业应用(如焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器、可再生能源系统及太阳能光伏逆变器)等领域。

    技术参数


    - 最高击穿电压 (VDS):650 V
    - 最大导通电阻 (RDS(on)):0.23 Ω(@ VGS = 10 V, TJ = 25 °C)
    - 总栅极电荷 (Qg):24 nC
    - 栅源电荷 (Qgs):6 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):11 nC
    - 持续漏电流 (ID):15 A(@ TC = 25 °C),10 A(@ TC = 100 °C)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):286 mJ
    - 最大功耗 (PD):180 W
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg):-55 °C 到 +150 °C

    产品特点和优势


    - 低 FOM (Ron x Qg):低导通电阻乘以总栅极电荷,降低了开关损耗。
    - 低输入电容 (Ciss):减少了栅极电容,提高了开关速度。
    - 降低开关损耗和导通损耗:通过优化设计减少整体损耗。
    - 超低栅极电荷 (Qg):提高效率并减少驱动功率需求。
    - 雪崩能量等级 (UIS):保证在高能环境下工作的可靠性。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源:适用于需要高可靠性和高效率的应用场合。
    - 开关模式电源 (SMPS):可以显著提高转换效率。
    - 照明系统:如高强度放电灯和荧光灯驱动器,能够提供更好的瞬态响应。
    - 工业应用:例如焊接设备、感应加热装置,提供稳定的电流控制。
    使用建议:
    - 在高功率应用中应注意散热管理,确保散热片的正确安装。
    - 选择适当的驱动电路以避免过高的电压和电流应力。

    兼容性和支持


    - 封装:TO-220AB
    - 与其它组件的兼容性:VBM165R15S 可与其他标准 MOSFET 驱动器兼容。
    - 支持:制造商提供详尽的技术文档和客户支持服务,帮助用户解决在应用中可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - Q:栅极电荷过高会导致什么问题?
    - A: 过高的栅极电荷会增加开关损耗,导致发热。解决方案是选择具有较低栅极电荷的产品或优化驱动电路。

    - Q:在高温环境中运行时,如何防止器件失效?
    - A: 确保使用足够的散热措施,选择具有较低热阻的散热片。同时监控器件的工作温度,确保不超过其绝对最大额定值。

    总结和推荐


    VBM165R15S 是一款高性能的 N-Channel 650V 超级结功率 MOSFET,在各种高压和高频应用中表现出色。其低导通电阻、低输入电容和超低栅极电荷等特点使其成为许多高压电力应用的理想选择。尽管价格稍高,但其卓越的性能和可靠性使其物有所值。强烈推荐在需要高效、高可靠性的应用中使用。
    联系我们:
    - 服务热线:400-655-8788
    - 官方网站:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)
    通过本文的详细介绍,我们希望为用户提供一个全面了解 VBM165R15S 的窗口,协助用户在具体项目中做出最优选择。

VBM165R15S参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 300mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 15A
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBM165R15S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBM165R15S数据手册

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VBM165R15S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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