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FQPF8N90C-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO220F;N—Channel沟道,900V;5A;RDS(ON)=1500mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: FQPF8N90C-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQPF8N90C-VB

FQPF8N90C-VB概述

    FQPF8N90C-VB N-Channel 900V Super Junction Power MOSFET

    1. 产品简介


    FQPF8N90C-VB 是一款由VBsemi公司生产的N沟道超级结功率MOSFET,适用于各种高电压应用场合。该产品的主要特点是动态dv/dt额定值高、重复雪崩额定值强、隔离中央安装孔、快速开关、易于并联等。这些特性使其成为电源转换、电机驱动、工业控制等领域的理想选择。

    2. 技术参数


    - 额定参数
    - 漏源电压(VDS): 900V
    - 门源电压(VGS): ±20V
    - 连续漏极电流(ID): 5A(TC=25°C),3.9A(TC=100°C)
    - 脉冲漏极电流(IDM): 21A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 770mJ
    - 重复雪崩电流(IAR): 7.8A
    - 重复雪崩能量(EAR): 19mJ
    - 最大功率耗散(PD): 190W
    - 峰值二极管恢复电压(dV/dt): 2.0V/ns
    - 工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg): -55°C 至 +150°C
    - 电气特性
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压(VDS): 900V
    - 门源阈值电压(VGS(th)): 2.0V至4.0V
    - 门源泄漏电流(IGSS): ±100nA
    - 动态参数
    - 输入电容(Ciss): 3100pF
    - 输出电容(Coss): 800pF
    - 反向转移电容(Crss): 490pF
    - 总门极电荷(Qg): 200nC
    - 门极-源极电荷(Qgs): 24nC
    - 门极-漏极电荷(Qgd): 110nC

    3. 产品特点和优势


    - 动态dv/dt额定值高: 能够承受高电压变化率,适用于高频应用。
    - 重复雪崩额定值强: 能够应对瞬间过电压冲击,提高了可靠性。
    - 隔离中央安装孔: 简化安装过程,增强散热性能。
    - 快速开关: 减少开关损耗,提高效率。
    - 易于并联: 多个MOSFET可以轻松并联以提高电流处理能力。
    - 简单的驱动要求: 降低了驱动电路复杂度,方便使用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例
    - 电源转换: FQPF8N90C-VB可用于各类开关电源转换器,如DC-DC转换器和AC-DC整流器。
    - 电机驱动: 在电机驱动系统中,该MOSFET可以用于逆变器,提供高效的电流控制。
    - 工业控制: 在各种工业控制系统中,该MOSFET可用于负载切换和保护。
    - 使用建议
    - 设计注意事项: 在使用过程中应注意散热管理,确保MOSFET工作在安全的工作温度范围内。
    - 驱动电路设计: 设计驱动电路时应考虑寄生电感的影响,以减少开关过程中的瞬态现象。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: FQPF8N90C-VB与市面上主流的电源转换和电机驱动电路高度兼容,可广泛应用于各种系统中。
    - 支持: VBsemi公司提供全面的技术支持和售后服务,确保用户能够顺利进行产品选型和使用。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 高温环境下MOSFET无法正常工作。
    - 解决方案: 确保良好的散热措施,必要时使用散热片或热管。

    - 问题2: MOSFET开关速度慢,导致效率下降。
    - 解决方案: 优化驱动电路设计,减小寄生电感的影响,使用合适的门极电阻。

    7. 总结和推荐


    FQPF8N90C-VB是一款高性能的N沟道超级结功率MOSFET,具备高动态dv/dt额定值、强重复雪崩额定值、快速开关等特点。它广泛应用于电源转换、电机驱动和工业控制等领域。建议用户在使用时注意散热管理和驱动电路设计,以充分发挥其性能优势。强烈推荐在高电压应用中选用该产品。
    希望这篇文章能够帮助您更好地了解和使用FQPF8N90C-VB。如果您有任何疑问或需要进一步的帮助,请联系我们的服务热线:400-655-8788。

FQPF8N90C-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 5A
配置 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.5Ω@ 10V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 900V
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 TO-220F

FQPF8N90C-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQPF8N90C-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FQPF8N90C-VB FQPF8N90C-VB数据手册

FQPF8N90C-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
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型号 价格(含增值税)
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