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JCS5N50VT-O-V-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n适用于汽车电子系统中的电路保护和电源管理,提供稳定可靠的电力支持,确保汽车电子设备的正常运行。TO251;N沟道,650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);
供应商型号: JCS5N50VT-O-V-N-B-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS5N50VT-O-V-N-B-VB

JCS5N50VT-O-V-N-B-VB概述


    产品简介


    产品名称:JCS5N50VT-O-V-N-B N-Channel MOSFET
    产品类型: 该产品属于N-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel MOSFET),具有出色的开关性能和高可靠性。
    主要功能:
    - 低栅极电荷Qg: 提供简单的驱动要求,简化电路设计。
    - 增强的栅极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性: 提高了整体稳定性和耐用性。
    - 全面表征的电容和雪崩电压、电流: 确保性能的一致性和可预测性。
    - 符合RoHS指令: 符合环境保护标准,适合现代电子设备的生产需求。
    应用领域:
    - 电源转换器: 可用于高效能的DC-DC转换器。
    - 电机控制: 适用于各种工业电机控制装置。
    - LED照明: 适合于需要高效开关的LED驱动器。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 栅源电压(VGS) | ±30 | V |
    | 最大漏源电压(VDS) | 650 | V |
    | 漏极连续电流(TC=25°C) | 5 | A |
    | 漏极连续电流(TC=100°C) | 4 | A |
    | 冲击电流(IDM) | 16 | A |
    | 功率耗散(TC=25°C) | 205/35/30 | W |
    | 静态栅源阈值电压(VGS(th)) | 2.0~4.0 | V |
    | 输出电容(Coss) | 75 | pF |
    | 总栅极电荷(Qg) | 15 | nC |
    | 雪崩能量(EAS) | 120 | mJ |

    产品特点和优势


    产品优势:
    - 低栅极电荷: 有助于减少开关损耗,提高效率。
    - 增强的鲁棒性: 提升了耐雪崩能力和对瞬态电压变化的承受能力。
    - 全面的电气参数测试: 使得产品在不同温度条件下的性能表现一致可靠。
    - 符合RoHS标准: 有利于环保和提升市场竞争力。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 工业电机控制: 在工业环境中,JCS5N50VT可用于电机控制,提供快速响应和精确控制。
    - LED驱动器: LED驱动器中的开关频率和效率对于延长LED寿命至关重要,JCS5N50VT具备优秀的性能,非常适合此用途。
    使用建议:
    - 散热管理: 使用合适的散热器,确保MOSFET在高温下正常工作。
    - 电路布局: 考虑低寄生电感和地平面布局,以减少干扰和提升系统稳定性。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - JCS5N50VT与其他主流电路设计工具兼容,如Altium Designer、Cadence等。
    支持和维护:
    - 技术服务热线: 400-655-8788,随时解答用户的技术疑问。
    - 软件更新和产品手册: 定期发布更新版本,确保用户获取最新的技术支持。

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 设备过热: 可能是因为散热不良,需检查散热器安装是否正确。
    2. 驱动波形异常: 可能是驱动电路设计不合理,建议重新检查电路参数。
    3. 输出电流不稳定: 需要检查电源输入电压是否稳定,确认负载不超载。
    解决方案:
    1. 确保散热良好: 正确安装散热器,增加通风条件。
    2. 重新设计驱动电路: 优化驱动电阻值,保证信号完整性。
    3. 稳压电源: 使用稳压电源,避免电压波动影响输出电流稳定性。

    总结和推荐


    总结:
    JCS5N50VT是一款具有高性能和高可靠性的N-Channel MOSFET。其低栅极电荷和全面的电气参数测试确保了其在各种应用中的卓越表现。此外,该产品符合RoHS标准,适用于多种工业应用。
    推荐:
    鉴于JCS5N50VT在开关速度、鲁棒性和电气性能方面的优势,我们强烈推荐它用于工业电机控制、LED驱动器以及其他需要高效率和高性能的应用场合。

JCS5N50VT-O-V-N-B-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 5A
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
配置 -
通用封装 TO-251

JCS5N50VT-O-V-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS5N50VT-O-V-N-B-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS5N50VT-O-V-N-B-VB JCS5N50VT-O-V-N-B-VB数据手册

JCS5N50VT-O-V-N-B-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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