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VBM16R41SFD

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO220;N—Channel沟道,600V;41A;RDS(on)=62mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: 14M-VBM16R41SFD TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBM16R41SFD

VBM16R41SFD概述

    VBM16R41SFD 600V N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    VBM16R41SFD是一款由VBsemi公司生产的N-Channel 600V超结功率MOSFET。它具备快速二极管特性,主要用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明(如高强度放电灯HID和荧光灯)等领域。此外,该产品也广泛应用于工业领域。

    2. 技术参数


    以下是VBM16R41SFD的主要技术参数:
    - 额定电压(VDS):600V
    - 最大工作温度范围(TJ, Tstg):-55°C至+150°C
    - 连续漏极电流(ID):在TC=100°C时为41A
    - 脉冲漏极电流(IDM):120A
    - 最大功耗(PD):230W
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压(VDS):600V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):2.5V 至 4.5V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):在VGS=10V时为0.062Ω
    - 动态参数
    - 输入电容(Ciss):典型值为4350pF
    - 输出电容(Coss):典型值为80pF
    - 总栅极电荷(Qg):典型值为57nC
    - 其他参数
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):1600mJ
    - 热阻抗(RthJA, RthJC):典型值分别为62°C/W 和 0.7°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻(Ron x Qg):降低了开关损耗和传导损耗。
    - 低输入电容(Ciss):减少了驱动电路的负载。
    - 超低栅极电荷(Qg):提高了开关速度并降低了驱动能耗。
    - 雪崩能量等级(UIS):保证了产品在高电压瞬态条件下的可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源:适用于数据中心的高密度电源系统,以减少热损失和提高效率。
    - 开关模式电源(SMPS):适合用于要求高效能和高可靠性的开关电源设计。
    - 功率因数校正(PFC)电源:特别适合用于需要高效率PFC的系统。
    - 照明:在高强度放电灯(HID)和荧光灯的应用中,有助于提升照明系统的能效。
    使用建议:
    - 在选择驱动电路时,考虑较低的栅极电荷(Qg),以便于降低驱动电路的能耗。
    - 高温环境下使用时,确保散热措施充分,避免过热损坏。
    - 雪崩能量测试在不同温度条件下进行,以确保在各种工况下都具有良好的稳定性。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:适用于各类标准开关电源模块和控制系统。
    - 支持和服务:VBsemi提供全面的技术支持,包括产品选型指导、应用技术支持及售后服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:栅极电压过高导致损坏。
    - 解决方案:确保栅极电压不超过规定的±30V。
    - 问题:温度过高导致失效。
    - 解决方案:改善散热设计,确保工作温度不超过最大允许值。
    - 问题:无法达到期望的开关速度。
    - 解决方案:检查驱动电路的设计,确保合适的驱动电流和栅极电容匹配。

    7. 总结和推荐


    总结:VBM16R41SFD是一款高性能、高可靠性的N-Channel 600V超结功率MOSFET,具有出色的开关性能和低损耗特性。它适用于多种高要求的应用场景,尤其是在需要高能效和高可靠性的场合。
    推荐:鉴于其卓越的性能和广泛的应用领域,我们强烈推荐该产品用于需要高性能功率转换的应用,如服务器电源、电信电源、工业控制和其他电力电子产品。

VBM16R41SFD参数

参数
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 30V
Vds-漏源极击穿电压 600V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 41A
Rds(On)-漏源导通电阻 62mΩ@ 10V
通用封装 TO-220

VBM16R41SFD厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBM16R41SFD数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBM16R41SFD VBM16R41SFD数据手册

VBM16R41SFD封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 27.0131
10+ ¥ 24.6013
30+ ¥ 23.2236
100+ ¥ 20.4528
1000+ ¥ 19.681
3000+ ¥ 19.2951
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