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FQP7N80C-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO220;N—Channel沟道,800V;5A;RDS(ON)=1300mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: FQP7N80C-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQP7N80C-VB

FQP7N80C-VB概述

    FQP7N80C-VB N-Channel 800V Super Junction MOSFET

    产品简介


    FQP7N80C-VB 是一款高性能 N-Channel 800V 超级结功率 MOSFET,属于 VBsemi 公司的产品线。该器件具备低导通电阻(RDS(on))、快速开关速度和简单的驱动要求等特点,使其广泛应用于电源管理、电机控制、照明系统等领域。它符合 RoHS 指令要求,适用于现代电子设备对环保和安全性的严格要求。

    技术参数


    - 电压参数
    - 最大栅源电压 (VGS): ±20V
    - 最大漏源电压 (VDS): 800V
    - 最大重复雪崩电流 (IAR): 7.8A
    - 最大雪崩能量 (EAR): 19mJ
    - 最大峰值二极管恢复电压 (dV/dt): 2.0V/ns
    - 电流参数
    - 连续漏极电流 (ID): 3.9A (TC=100°C)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 21A
    - 热阻参数
    - 最大结到外壳热阻 (RthJC): 0.65°C/W
    - 电容参数
    - 输入电容 (Ciss): 3100pF (VGS=0V, VDS=25V, f=1MHz)
    - 输出电容 (Coss): 800pF
    - 反向传输电容 (Crss): 490pF
    - 其他参数
    - 最小反向恢复电荷 (Qrr): 3.8μC
    - 最大反向恢复时间 (trr): 980ns
    - 最大结到环境热阻 (RthJA): 40°C/W

    产品特点和优势


    - 高动态 dv/dt 评级: 支持高速切换。
    - 重复雪崩评级: 能够承受多次瞬态雪崩。
    - 隔离中央安装孔: 便于散热和安装。
    - 快速开关: 适用于高频应用。
    - 简单的驱动要求: 减少了驱动电路复杂度。
    - RoHS 合规: 符合环保标准。
    这些特点使得 FQP7N80C-VB 在电源管理和电机控制应用中表现出色,具有显著的市场竞争力。

    应用案例和使用建议


    FQP7N80C-VB 可广泛应用于各类电源转换器、电机驱动、逆变器等设备中。例如,在一个典型的电机控制系统中,可以利用该器件的高耐压能力和快速开关特性来实现高效的能量转换。为了进一步提高系统的可靠性,建议在设计时考虑适当的 PCB 布局和热管理策略,以确保器件在高温环境下的稳定运行。

    兼容性和支持


    FQP7N80C-VB 的 TO-220AB 封装使其与其他标准的电源器件兼容,可方便地集成到现有的系统中。VBsemi 提供详尽的技术支持文档,包括数据手册、应用指南和常见问题解答,以帮助客户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何确定器件的额定功率?
    - A: 额定功率由最大结温(通常为150°C)决定,可以通过器件的热阻和环境温度计算得出。

    - Q: 在高频开关应用中如何避免过热?
    - A: 设计合适的散热系统,使用大面积铜箔作为散热片,同时减少寄生电感的影响。

    总结和推荐


    总体来看,FQP7N80C-VB 是一款高性能、多功能的 N-Channel 800V 功率 MOSFET,特别适合于需要高耐压、快速开关和简单驱动的应用场合。其优异的性能和可靠的特性使其在市场上具有很强的竞争力。对于追求高效、可靠电源解决方案的工程师来说,FQP7N80C-VB 是一个非常值得推荐的选择。

FQP7N80C-VB参数

参数
配置 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 5A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 800V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.3Ω@ 10V
通用封装 TO-220

FQP7N80C-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQP7N80C-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FQP7N80C-VB FQP7N80C-VB数据手册

FQP7N80C-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
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