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P5NK80Z-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO220;N—Channel沟道,800V;5A;RDS(ON)=1300mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: P5NK80Z-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) P5NK80Z-VB

P5NK80Z-VB概述


    产品简介


    N-Channel 800V (D-S) Super Junction Power MOSFET
    P5NK80Z是一款由VBsemi公司生产的N沟道超结功率MOSFET。这款器件主要用于电源管理和电机控制等领域,能够承受高达800V的电压。其主要特点是动态dV/dt评级高、重复雪崩等级、易于并联、驱动要求简单等,非常适合于高速开关和大电流的应用场景。

    技术参数


    以下是该产品的主要技术规格和技术参数:
    - 基本参数:
    - 最大漏源电压(VDS):800V
    - 最大栅源电压(VGS):±20V
    - 漏极连续电流(ID):25°C时为5A,100°C时为3.9A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):770mJ
    - 最大耗散功率(PD):25°C时为190W
    - 最大结温(TJ):150°C
    - 绝对最大结到环境热阻(RthJA):40°C/W
    - 电气特性:
    - 导通电阻(RDS(on)):在VGS = 10V时为1.2Ω
    - 门极电荷(Qg):最大值为200nC
    - 输入电容(Ciss):最大值为3100pF
    - 输出电容(Coss):最大值为800pF
    - 逆向转移电容(Crss):最大值为490pF
    - 其他参数:
    - 门极-源极电荷(Qgs):24nC
    - 门极-漏极电荷(Qgd):110nC
    - 关断延迟时间(td(off)):最大值为120ns
    - 体二极管反向恢复时间(trr):最大值为980ns
    - 体二极管反向恢复电荷(Qrr):最大值为5.7μC

    产品特点和优势


    P5NK80Z具有以下独特功能和优势:
    - 动态dV/dt评级高:可承受较高的dv/dt,适用于高速开关的应用。
    - 重复雪崩等级:具有出色的重复雪崩能力,适用于需要频繁开关的应用。
    - 易于并联:可以方便地与其他MOSFET并联,实现更高的电流输出。
    - 驱动要求简单:简化了驱动电路设计,减少了外围元件数量。
    这些特点使其在工业、汽车、消费电子等领域的广泛应用中表现出色。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 工业电源:可用于各类工业电源转换器和逆变器中,如开关电源、电机驱动器等。
    - 电机控制:适用于各种交流和直流电机的控制应用。
    - 太阳能逆变器:用于太阳能系统的光伏逆变器中,提高系统效率和可靠性。
    使用建议
    - 散热设计:由于器件的高功率损耗,需确保良好的散热设计,避免过热导致器件损坏。
    - 驱动电路:建议使用简单的驱动电路,并保证驱动信号的稳定性,以避免误触发或不稳定的开关行为。
    - 并联使用:如果需要更大的电流输出,可以通过并联多个器件来实现,但需注意均流设计,避免电流不均衡导致局部过热。

    兼容性和支持


    P5NK80Z具有良好的兼容性,可以与标准的TO-220AB封装兼容。制造商提供了详细的技术支持文档和客户服务,包括在线技术支持和售后服务热线(400-655-8788),用户可以在遇到问题时及时获得帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题:开启和关闭延迟时间较长,导致开关频率下降。
    - 解决方案:检查驱动电路的设计,确保足够的驱动电流和合适的驱动电压。

    - 问题:散热不良导致器件过热。
    - 解决方案:加强散热设计,增加散热片或使用热管散热。
    - 问题:驱动信号不稳定,导致误触发。
    - 解决方案:检查驱动信号的稳定性和驱动电路的设计,确保信号质量和稳定性。

    总结和推荐


    P5NK80Z是一款高性能的N沟道超结功率MOSFET,适合于需要高电压、高速开关和大电流输出的应用场合。其独特的设计和卓越的性能使其在多种工业和消费电子产品中表现出色。此外,制造商提供了详尽的技术支持和优质的客户服务,使得这款产品在市场上具备较强的竞争力。
    综上所述,我们强烈推荐使用P5NK80Z,它不仅在技术规格上表现出色,而且在实际应用中也展现了极高的可靠性和稳定性。

P5NK80Z-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.3Ω@ 10V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 5A
Vds-漏源极击穿电压 800V
配置 -
通用封装 TO-220

P5NK80Z-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

P5NK80Z-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 P5NK80Z-VB P5NK80Z-VB数据手册

P5NK80Z-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.1228
100+ ¥ 5.6693
500+ ¥ 5.4425
1000+ ¥ 5.2158
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