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JCS4N80CH-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO220;N—Channel沟道,800V;5A;RDS(ON)=1300mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: JCS4N80CH-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS4N80CH-VB

JCS4N80CH-VB概述

    JCS4N80CH-VB 800V N-Channel Super Junction MOSFET 技术手册

    产品简介


    JCS4N80CH-VB 是一款高性能的 N-Channel 800V 超级结场效应晶体管(Super Junction MOSFET)。该器件主要用于高电压和高频开关应用,广泛应用于工业自动化、电动汽车、电源转换和电信设备等领域。

    技术参数


    - 基本参数
    - VDS(漏源电压):800V
    - RDS(on)(导通电阻):1.2Ω(VGS=10V)
    - Qg(总栅极电荷):200nC
    - Configuration:单个
    - 绝对最大额定值
    - VDS(漏源电压):800V
    - VGS(栅源电压):±20V
    - 连续漏电流(TC=25°C):5A
    - 脉冲漏电流(TC=100°C):3.9A
    - 单脉冲雪崩能量:770mJ
    - 重复雪崩电流:7.8A
    - 重复雪崩能量:19mJ
    - 最大功耗(TC=25°C):190W
    - 峰值二极管恢复 dv/dt:2.0V/ns
    - 工作结温及存储温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 热阻
    - 最大结到环境热阻(RthJA):40°C/W
    - 最大结到散热片热阻(RthCS):0.24°C/W
    - 最大结到外壳热阻(RthJC):0.65°C/W

    产品特点和优势


    - 快速开关特性:支持高速开关,可提高电路效率。
    - 易于并联:简化驱动要求,易于实现并联操作。
    - 低导通电阻:RDS(on) 仅为 1.2Ω(VGS=10V),适用于高功率应用。
    - 可靠性:重复雪崩电流和能量等级较高,确保稳定运行。
    - 符合环保标准:符合 RoHS 指令 2002/95/EC 标准。

    应用案例和使用建议


    - 工业自动化:用于电机控制和驱动系统,提高系统的响应速度和可靠性。
    - 电动汽车:作为逆变器的核心组件,提升车辆的动力性能和能源效率。
    - 电源转换:在高功率开关电源中作为主开关管,减少能量损耗。
    - 使用建议:
    - 严格遵守绝对最大额定值,避免超过规定值使用,防止损坏。
    - 选择合适的散热片和电路布局,以降低热阻,确保良好的热管理。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于各种高电压和高频应用场合。
    - 支持:提供详细的技术文档和售后服务,支持用户进行设计和测试。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:如何判断器件是否达到绝对最大额定值?
    - 解决方案:仔细阅读技术手册中的绝对最大额定值,确保工作条件不超过规定范围。
    - 问题二:如何优化热管理?
    - 解决方案:选用合适的散热片,合理布局电路,避免热点出现。

    总结和推荐


    JCS4N80CH-VB N-Channel 800V 超级结 MOSFET 在高电压和高频应用中表现出色,具有优秀的开关特性和较低的导通电阻,适合多种应用场景。其高可靠性和符合环保标准的特点使其在市场上具有很强的竞争力。我们强烈推荐这款产品给需要高效率和高可靠性的客户。
    如有任何疑问或需要技术支持,请联系我们的服务热线:400-655-8788 或访问官网 www.VBsemi.com 获取更多信息。

JCS4N80CH-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 5A
通道数量 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 800V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.3Ω@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通用封装 TO-220

JCS4N80CH-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS4N80CH-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
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JCS4N80CH-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
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