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JCS830V-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 适用于汽车电子系统中的电路保护和电源管理,提供稳定可靠的电力支持,确保汽车电子设备的正常运行。TO251;N沟道,650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);
供应商型号: JCS830V-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS830V-VB

JCS830V-VB概述

    JCS830V MOSFET 技术手册

    产品简介


    JCS830V 是一种高电压 N 沟道 MOSFET,适用于各种电力转换应用。该 MOSFET 具有低栅极电荷、增强的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐受性等特点,使其成为高效电源管理和电机控制的理想选择。其主要功能包括:
    - 低栅极电荷(Qg),简化驱动要求。
    - 改善的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。
    - 全面的电容和雪崩电压及电流表征。
    - 符合 RoHS 指令 2002/95/EC。

    技术参数


    - 漏源电压(VDS):650 V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):2.0 - 4.0 V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):0.95 Ω(VGS = 10 V)
    - 栅源电荷(Qgs):3 nC
    - 栅漏电荷(Qgd):6 nC
    - 栅极总电荷(Qg):15 nC
    - 最大脉冲漏电流(IDM):16 A
    - 最大重复雪崩电流(IAR):34 A
    - 最大功率耗散(PD):205 W(TC = 25 °C)
    - 工作温度范围:-55 °C 至 +150 °C
    - 绝对最大额定值:峰值二极管恢复 dV/dt:4.5 V/ns

    产品特点和优势


    JCS830V 的独特之处在于其低栅极电荷(Qg),这显著简化了驱动需求,降低了系统的整体功耗。此外,它具有增强的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性,使得其在高压应用中表现出色。其全面的电容和雪崩电压及电流表征也为用户提供了可靠的数据支持。符合 RoHS 指令也确保了其环保性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    JCS830V 主要应用于需要高电压和高电流的应用场景,如电源转换器、电机控制器和工业自动化系统。在实际应用中,用户应考虑其工作温度范围,特别是在高温环境下确保充分散热,以避免过热。对于开关频率较高的应用,应注意避免过高的 dV/dt 以防止损坏。此外,合理的 PCB 布局和接地平面设计可以进一步提高其性能。

    兼容性和支持


    JCS830V 可与标准的 TO-220AB、TO-252 和 TO-251 封装兼容,适合广泛的工业应用。制造商提供详尽的技术支持和维护信息,确保用户能够充分利用其特性。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:高温下性能下降
    - 解决方案:确保良好的散热措施,如使用合适的散热器并保证充足的气流。
    2. 问题:高频应用中的噪声干扰
    - 解决方案:优化 PCB 设计,减少寄生电感,并确保良好的接地连接。
    3. 问题:长期运行中的可靠性问题
    - 解决方案:定期检查产品的工作状态,确保其在额定条件下稳定运行。

    总结和推荐


    JCS830V N 沟道 MOSFET 在高压应用中表现优异,具有出色的耐压能力和较低的栅极电荷。其高可靠性、广泛的温度适应性和出色的耐用性使其成为众多电力转换和控制应用的理想选择。因此,强烈推荐在需要高电压和高电流应用的场合使用 JCS830V。
    希望这篇综述能够帮助您更好地理解和使用 JCS830V MOSFET。如果您有任何疑问或需要进一步的支持,请联系我们的服务热线:400-655-8788。

JCS830V-VB参数

参数
通道数量 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 5A
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通用封装 TO-251

JCS830V-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS830V-VB数据手册

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JCS830V-VB封装设计

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