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NCE60R900L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 适用于汽车电子系统中的电路保护和电源管理,提供稳定可靠的电力支持,确保汽车电子设备的正常运行。TO251;N沟道,650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);
供应商型号: NCE60R900L-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCE60R900L-VB

NCE60R900L-VB概述


    产品简介


    NCE60R900L是一款N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有低栅极电荷(Qg)和高可靠性等特点。这种MOSFET主要用于高电压电力转换应用,如开关电源、电机驱动和逆变器系统。它以其出色的门极、雪崩和动态dv/dt耐受性而闻名,并且已经过全面的电容和雪崩电压及电流的特性测试。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 650 V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2.0 4.0 | V |
    | 栅源漏电流 | IDSS 10 | µA |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) 0.95 Ω |
    | 输入电容 | Ciss 320 pF |
    | 输出电容 | Coss 75 pF |
    | 有效输出电容 | Coss eff. | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg 15 | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd | nC |
    | 热阻抗 | RthJA | °C/W |
    | 最大脉冲栅极电压 | VGS | ± 30 V |
    | 连续漏极电流 | ID | 5 4 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM 16 | A |

    产品特点和优势


    NCE60R900L具有多项独特的优势:
    1. 低栅极电荷:简化驱动要求,降低功耗。
    2. 增强的门极、雪崩和动态dv/dt鲁棒性:提高设备的耐用性和可靠性。
    3. 全特性化的电容和雪崩电压及电流特性:确保最佳性能。
    4. 符合RoHS指令:适用于绿色电子设备。
    这些特点使其在高可靠性的工业应用中表现卓越。

    应用案例和使用建议


    NCE60R900L可以应用于多种电力转换和控制电路中,例如:
    - 开关电源(SMPS)
    - 电机驱动器
    - 逆变器系统
    对于这些应用场景,建议:
    1. 合理设计散热:由于其较高的热阻抗,需注意良好的散热措施以保证正常运行。
    2. 精确匹配驱动条件:如栅极电阻和驱动电压,以确保最佳性能。
    3. 保护电路设计:例如增加TVS二极管以防止浪涌电压对设备造成损坏。

    兼容性和支持


    该产品具有广泛的兼容性,适用于常见的电路板封装(如TO-220、TO-252等)。厂商提供详尽的技术支持和维护服务,确保客户在使用过程中能够获得及时帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 设备过热 | 确保良好散热,适当增大散热片面积。 |
    | 电流波动较大 | 检查驱动信号波形,确保稳定性。 |
    | 电压超出限制 | 核实输入电压范围,调整电源输入。 |

    总结和推荐


    综上所述,NCE60R900L是一款性能优越、可靠性高的N沟道功率MOSFET,适用于多种高电压电力转换和控制应用。其独特的低栅极电荷特性和出色的电气性能使得它在市场上具备很强的竞争力。因此,强烈推荐该产品用于需要高可靠性和高性能的电力电子应用中。

NCE60R900L-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 5A
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 10V
通用封装 TO-251

NCE60R900L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCE60R900L-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NCE60R900L-VB NCE60R900L-VB数据手册

NCE60R900L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 2.6999
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