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H5N2510DL-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO251;N—Channel沟道,250V;17A;RDS(ON)=200mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2V;
供应商型号: H5N2510DL-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) H5N2510DL-VB

H5N2510DL-VB概述

    H5N2510DL N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    H5N2510DL 是一款高性能的 N-Channel MOSFET(N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管),具有动态dV/dt评级、重复雪崩评级、快速开关能力和易于并联的优势。它主要应用于电源转换、电机驱动和其他高功率控制领域。H5N2510DL 的核心优势在于其快速开关特性、简单的驱动要求和高可靠性。

    技术参数


    H5N2510DL 的主要技术规格如下:
    - 漏源电压 \(V{DS}\):250 V
    - 最大连续漏极电流 \(ID\):17 A (TC = 25°C),11 A (TC = 100°C)
    - 最大脉冲漏极电流 \(I{DM}\):56 A
    - 最大峰值二极管恢复电压 \(dV/dt\):4.8 V/ns
    - 最大单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\):550 mJ
    - 最大重复雪崩电流 \(I{AR}\):17 A
    - 最大重复雪崩能量 \(E{AR}\):13 mJ
    - 最大功率耗散 \(P{D}\):125 W
    - 热阻 \(R{thJC}\):最大值 1.0°C/W
    - 输入电容 \(C{iss}\):最大值 1300 pF
    - 输出电容 \(C{oss}\):最大值 330 pF
    - 反向传输电容 \(C{rss}\):最大值 85 pF
    - 总门极电荷 \(Qg\):最大值 68 nC
    - 阈值电压 \(V{GS(th)}\):2.0 - 4.0 V

    产品特点和优势


    1. 动态 dV/dt 评级:确保 MOSFET 在高压下工作的稳定性和可靠性。
    2. 重复雪崩评级:增强了 MOSFET 的耐用性和长期稳定性。
    3. 快速开关:可以显著减少开关损耗,提高系统效率。
    4. 并联容易:简化了多器件并联的设计难度,提高了系统的灵活性。
    5. 简单的驱动要求:降低了驱动电路的复杂性,便于集成。

    应用案例和使用建议


    H5N2510DL 主要应用于高功率电源转换、电机驱动等领域。例如,在一个典型的开关电源设计中,H5N2510DL 可以有效地减少开关损耗,提高系统的整体效率。使用时,需要注意以下几点:
    - 确保散热良好,避免热积聚导致器件损坏。
    - 合理选择驱动电路参数,确保 MOSFET 的安全运行。
    - 注意布局设计,降低寄生电感,提高整体系统的可靠性和稳定性。

    兼容性和支持


    H5N2510DL 可与各种标准驱动电路兼容。VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,帮助客户解决应用中的技术难题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:MOSFET 发热严重
    - 解决方案:检查散热设计,增加散热片或者使用风扇辅助散热。

    2. 问题:开关损耗过高
    - 解决方案:调整驱动电路参数,降低开关速度或选择合适的驱动电阻。

    3. 问题:驱动信号不稳定
    - 解决方案:优化电路设计,降低寄生电感的影响,确保驱动信号的稳定。

    总结和推荐


    H5N2510DL 是一款出色的 N-Channel MOSFET,具备优秀的开关性能和可靠性,适用于多种高功率应用场合。其简单易用的特点使其成为电源管理领域的理想选择。如果你正在寻找一款高效可靠的 MOSFET,H5N2510DL 绝对是一个值得考虑的选择。

H5N2510DL-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 200mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 17A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Vds-漏源极击穿电压 250V
配置 -
通用封装 TO-251

H5N2510DL-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

H5N2510DL-VB数据手册

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H5N2510DL-VB封装设计

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