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FMV10N80E-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO220F;N—Channel沟道,850V;10A;RDS(ON)=1150mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=3.3V;
供应商型号: FMV10N80E-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FMV10N80E-VB

FMV10N80E-VB概述


    产品简介


    FMV10N80E-VB 低导通电阻N沟道MOSFET
    FMV10N80E-VB 是一款高性能N沟道功率MOSFET,设计用于多种应用,包括服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源和照明系统。这款MOSFET具有低导通电阻(RDS(on)),有助于减少电力转换过程中的损耗,并且具备高可靠性,能够在极端工作环境下稳定运行。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS):850 V
    - 典型导通电阻 (RDS(on)):0.043 Ω(@VGS = 10 V, TJ = 25 °C)
    - 最大总栅极电荷 (Qg):43 nC
    - 最大输入电容 (Ciss):4 nF
    - 最大输出电容 (Coss):70 pF
    - 最大反向转移电容 (Crss):-8 pF
    - 连续漏极电流 (ID):40 A(@TJ = 150 °C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):80 A
    - 单次脉冲雪崩能量 (EAS):4.5 mJ
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(on)):低导通电阻确保了更高的效率,减少了发热,延长了使用寿命。
    - 低栅极电荷 (Qg):低栅极电荷减少了开关损耗,提高了系统的整体效率。
    - 低输入电容 (Ciss):低输入电容降低了驱动电路的负担,进一步提高了系统的效率。
    - 增强的抗雪崩能力 (UIS):出色的雪崩能量耐受能力,确保了设备在恶劣条件下能够可靠运行。
    - 优秀的热性能:通过热阻抗分析,确保在高温环境下仍然保持良好的性能。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 服务器和电信电源:适用于需要高可靠性、高效率的服务器和电信设备。
    - 开关模式电源(SMPS):可以提高开关频率,从而减小电源体积并提高效率。
    - 功率因数校正(PFC)电源:改善系统的功率因数,提高能源利用率。
    - 高亮度放电灯(HID)和荧光灯球泡照明:提供了更高的能效和更长的使用寿命。
    - 工业应用:广泛应用于工业控制和自动化设备中。
    使用建议
    - 在高湿度环境中使用时,注意电路板的设计以避免湿气引起的短路。
    - 由于该MOSFET具有较低的输入电容和栅极电荷,可以在驱动电路设计中简化布局,从而降低功耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:FMV10N80E-VB 支持常见的引脚配置,易于与其他电路组件兼容。
    - 厂商支持:台湾VBsemi提供详尽的技术文档和支持服务,帮助用户解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题:在高频操作时出现过高的热应力。
    - 解决方案:优化散热设计,如增加散热片或采用散热性能更好的封装材料。

    - 问题:MOSFET在低温环境下的性能下降。
    - 解决方案:使用加热器或选择适合低温环境工作的型号。

    总结和推荐


    FMV10N80E-VB凭借其卓越的性能和广泛的应用场景,是一款非常出色的N沟道MOSFET。它不仅具有低导通电阻和低栅极电荷,还具备出色的热稳定性和可靠性。因此,强烈推荐该产品用于各种高效率和高可靠性的应用场合。如果您正在寻找一个高效且可靠的功率MOSFET,FMV10N80E-VB绝对是一个值得考虑的选择。

FMV10N80E-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 10A
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.3V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.15Ω@ 10V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 850V
通道数量 -
通用封装 TO-220F

FMV10N80E-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FMV10N80E-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FMV10N80E-VB FMV10N80E-VB数据手册

FMV10N80E-VB封装设计

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100+ ¥ 10.7972
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