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FQU5N50C-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 适用于汽车电子系统中的电路保护和电源管理,提供稳定可靠的电力支持,确保汽车电子设备的正常运行。TO251;N沟道,650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);
供应商型号: FQU5N50C-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQU5N50C-VB

FQU5N50C-VB概述

    FQU5N50C N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FQU5N50C 是一款 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于各种电力转换应用,例如电源管理和电机控制。它以其低门极电荷(Qg)和改进的抗雪崩及动态 dv/dt 耐受力而著称,这些特性使其适用于需要高可靠性的工业和消费电子设备。

    2. 技术参数


    - 电压参数
    - VDS(最大漏源电压): 650V
    - VGS(最大栅源电压): ±30V
    - VDS 温度系数: -0.6 mV/°C
    - 零栅压漏电流 (IDSS): 最大值 100 µA
    - 反向恢复时间 (trr): 最大值 180 ns
    - 反向恢复电荷 (Qrr): 最大值 3.2 µC
    - 静态参数
    - RDS(on)(导通电阻): 在 VGS = 10V 时,典型值为 0.95Ω
    - 转移特性: 从 25°C 到 150°C,变化很小
    - 动态参数
    - 输入电容 (Ciss): 最大值 320 pF
    - 输出电容 (Coss): 最大值 83 pF
    - 有效输出电容 (Coss eff.): 随 VDS 变化而变化
    - 其他参数
    - 门极电荷 (Qg): 最大值 15 nC
    - 门极-源极电荷 (Qgs): 3 nC
    - 门极-漏极电荷 (Qgd): 6 nC
    - 工作温度范围: -55°C 到 +150°C
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS): 120 mJ
    - 最大重复雪崩能量 (EAR): 205 mW (TC = 25°C)


    3. 产品特点和优势


    FQU5N50C 的显著特点是低门极电荷和高耐压能力,使其驱动简单且具有良好的可靠性。这些特性使得该器件能够在高压、高频环境下稳定运行。同时,它还具有较高的雪崩能量承受能力和快速恢复特性,确保在极端条件下的稳定表现。

    4. 应用案例和使用建议


    FQU5N50C 广泛应用于开关电源、马达控制器、逆变器和太阳能电池板等场合。由于其出色的动态响应和耐压性能,它特别适合于要求高效率和高可靠性的电力电子系统。为了更好地利用 FQU5N50C 的性能,建议:
    - 布局设计: 尽量减少电路中的寄生电感,采用大面积接地平面以提高散热效果。
    - 热管理: 使用适当的散热片和风扇来防止器件过热。
    - 驱动设计: 选择合适的栅极电阻以优化开关时间和功耗。

    5. 兼容性和支持


    FQU5N50C 与多种电子元件和设备兼容,可用于广泛的电路设计。制造商提供了详尽的技术支持和售后服务,包括详细的安装指南和故障排除文档。客户可以通过公司网站上的服务热线或技术支持平台获取进一步的帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 设备过热 | 确保散热良好,适当增加散热片。 |
    | 开关频率异常 | 检查栅极电阻,确保驱动信号质量。 |
    | 漏电流过高 | 检查栅源电压,确认其在合理范围内。 |

    7. 总结和推荐


    总体来说,FQU5N50C N-Channel MOSFET 是一款高效可靠的电力电子器件,非常适合需要高电压和高电流的场合。其优良的动态特性和简单的驱动方式使其成为许多电力电子应用的理想选择。强烈推荐在需要高性能和高可靠性的应用中使用 FQU5N50C。
    通过上述内容,我们希望读者能够对 FQU5N50C N-Channel MOSFET 有一个全面的理解,并能在实际应用中充分利用其优势。

FQU5N50C-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 5A
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
通道数量 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-251

FQU5N50C-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQU5N50C-VB数据手册

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FQU5N50C-VB封装设计

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