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JCS730V-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n适用于汽车电子系统中的电路保护和电源管理,提供稳定可靠的电力支持,确保汽车电子设备的正常运行。TO251;N沟道,650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);
供应商型号: JCS730V-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS730V-VB

JCS730V-VB概述

    JCS730V N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    JCS730V 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET,主要用于电力转换、电机控制和电源管理等领域。它的主要功能包括高能效、快速开关能力和出色的电流承载能力。由于其低栅极电荷(Qg)和其他卓越的技术参数,它非常适合于需要高性能驱动的应用场景。

    技术参数


    - 基本规格:
    - 最大耐压 (VDS): 650 V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 0.95 Ω (VGS = 10 V)
    - 总栅极电荷 (Qg): 15 nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 3 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 6 nC
    - 绝对最大额定值:
    - 栅源电压 (VGS): ±30 V
    - 连续漏极电流 (ID): 5 A (TC = 25 °C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 16 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 120 mJ
    - 重复雪崩电流 (IAR): 34 A
    - 最高结温 (TJ): -55 至 +150 °C
    - 热阻 (RthJA): 最大值 (无标注)
    - 封装: TO-220AB, TO-252, TO-251
    - 特性曲线图:
    - 典型输出特性 (Fig. 1, Fig. 2)
    - 转移特性 (Fig. 3)
    - 导通电阻温度系数 (Fig. 4)

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷 (Qg): 简化驱动需求,降低功耗。
    2. 改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐受性: 增强耐用性。
    3. 全面表征的电容和雪崩电压、电流: 确保稳定可靠。
    4. 符合 RoHS 指令 2002/95/EC: 环保设计。

    应用案例和使用建议


    - 电机控制: JCS730V 的高能效和快速开关特性使其适用于电机控制领域,减少能耗并提高效率。
    - 电源管理: 在高电压环境中,如开关电源和直流-直流转换器,JCS730V 的高耐压能力和良好的散热性能是理想选择。
    使用建议:
    - 确保驱动电路的可靠性,特别是在高频应用中。
    - 使用适当的散热措施,避免过热问题。

    兼容性和支持


    JCS730V 与各种电路设计兼容,包括驱动器、保护电路等。制造商提供详尽的技术文档和支持,确保客户能够顺利集成和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 设备过热。
    - 解决方案: 增加散热片或风扇,改善通风。

    - 问题: 电流波动大。
    - 解决方案: 检查负载情况,优化驱动信号,确保电路设计合理。

    总结和推荐


    JCS730V N 沟道 MOSFET 是一款高效、耐用且易于集成的器件,特别适合于需要高性能电力转换和电机控制的应用。其低栅极电荷和良好的电气特性使其在市场上具有显著的竞争优势。强烈推荐给需要高性能 MOSFET 的工程师和制造商。
    联系方式:
    - 服务热线: 400-655-8788
    - 官方网站: www.VBsemi.com
    以上是对 JCS730V N 沟道 MOSFET 的详细介绍,包括其技术参数、特点、应用案例及建议等,希望对您的项目选型提供参考。

JCS730V-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 5A
通道数量 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-251

JCS730V-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS730V-VB数据手册

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JCS730V-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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