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HFP7N80-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: TO220;N—Channel沟道,800V;5A;RDS(ON)=1300mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=3.5V;
供应商型号: HFP7N80-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HFP7N80-VB

HFP7N80-VB概述


    产品简介


    HFP7N80-VB 功率 MOSFET 是一款专为高电压应用设计的 N-沟道超级结功率 MOSFET。它的关键特性包括动态 dV/dt 额定值、重复雪崩额定值以及快速开关能力。这些特性使其适用于多种工业、消费电子及通信设备领域,特别是在需要高可靠性和高性能的应用中表现出色。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压(VDS) 800 | V |
    | 门源阈值电压(VGS(th)) | 2.0 4.0 | V |
    | 源漏导通电阻(RDS(on)) 1.2 Ω |
    | 门极电荷(Qg) 200 | nC |
    | 输入电容(Ciss) 3100 pF |
    | 输出电容(Coss) 800 pF |
    | 反向传输电容(Crss) 490 pF |
    | 节点至散热片热阻(RthCS) 0.24 °C/W |

    产品特点和优势


    HFP7N80-VB 功率 MOSFET 的独特功能和优势如下:
    - 动态 dV/dt 额定值:提供高可靠性。
    - 重复雪崩额定值:确保在极端条件下能承受多次重复雪崩事件。
    - 隔离中央安装孔:方便散热和安装。
    - 快切换:减少开关损耗,提高效率。
    - 易于并联:方便多器件并联使用,提高电流承载能力。
    - 简单的驱动要求:降低系统复杂度。
    - 符合 RoHS 指令:环保,适用范围广。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    HFP7N80-VB 功率 MOSFET 常用于高频开关电源、逆变器、电机驱动和其他需要高可靠性与高效能的场合。例如,在一个高电压电池管理系统中,它可以通过其高耐压能力和低导通电阻有效地控制高电流,提高系统的整体效率。
    使用建议
    - 散热管理:由于该 MOSFET 在高电流和高频条件下运行时会产生较多热量,因此需要采用适当的散热措施,如安装散热片或冷却风扇。
    - 门极驱动电路设计:为了充分利用其快速开关的优势,应设计高效的门极驱动电路,避免不必要的延迟和振荡。

    兼容性和支持


    HFP7N80-VB 功率 MOSFET 设计上考虑了与其他标准电子元器件的良好兼容性,可以广泛应用于各类电路板设计中。VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的用户手册、技术文档和客户支持热线,以帮助用户解决可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关损耗较高 | 优化门极驱动信号,减小门极电荷 |
    | 散热不足 | 增加散热片或使用散热风扇 |
    | 无法实现预期电流 | 检查连接线路,确保没有断路 |

    总结和推荐


    HFP7N80-VB 功率 MOSFET 凭借其出色的动态 dV/dt 额定值、重复雪崩额定值、快速开关特性和高可靠性,成为高电压应用领域的理想选择。其简洁的设计和广泛的兼容性使其在多种应用中表现出色。强烈推荐在高电压、高频和高可靠性要求的应用场景中使用该产品。通过合理的散热管理和有效的门极驱动设计,可以充分发挥其潜力,提升系统整体性能。

HFP7N80-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 1.3Ω@ 10V
Id-连续漏极电流 5A
Vds-漏源极击穿电压 800V
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220

HFP7N80-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HFP7N80-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HFP7N80-VB HFP7N80-VB数据手册

HFP7N80-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
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