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CEF840G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: CEF840G-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) CEF840G-VB

CEF840G-VB概述

    # CEF840G-VB Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    CEF840G-VB 是一款高性能 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种电源管理应用。该产品凭借低电阻和低开关损耗的特点,在服务器和电信电源供应、开关模式电源供应、功率因数校正电源供应以及工业和照明等领域得到广泛应用。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 栅源电压:±30 V
    - 漏源电压:650 V
    - 持续漏极电流(TJ=150°C):4 A
    - 单脉冲雪崩能量:97 mJ
    - 最大功耗:150 W
    - 工作结温和存储温度范围:-55°C 至 +150°C
    静态参数
    - 漏源击穿电压:650 V(栅源电压为 0 V,漏极电流为 250 μA)
    - 栅源阈值电压(N):2 - 4 V
    - 栅源漏电流(零栅源电压):1 μA
    动态参数
    - 输入电容:在 VGS=0 V、VDS=100 V、频率为 1 MHz 下,输入电容 Ciss 高达数千 pF
    - 输出电容:在 VGS=0 V、频率为 1 MHz 下,输出电容 Coss 可达数百 pF
    - 总栅极电荷:栅极电荷 Qg 在 VGS=10 V、漏极电流为 4 A 和 VDS=520 V 下高达 4 nC
    其他关键参数
    - 开关时间参数:根据典型图表,开启延迟时间 td(on) 低于 40 ns,关闭延迟时间 td(off) 低于 50 ns

    产品特点和优势


    CEF840G-VB MOSFET 的设计旨在减少切换和导通损耗,使其具有较低的 FOM (Ron x Qg) 和低输入电容 (Ciss)。这些特点使其成为高频和高效率应用的理想选择。产品具有出色的开关性能和超低的栅极电荷,从而减少电路中的损耗。此外,它在高达 650 V 的漏源电压下表现出色,适合在各种电源管理应用中使用。

    应用案例和使用建议


    CEF840G-VB 主要应用于电源管理系统,例如服务器和电信电源供应、开关模式电源供应、功率因数校正电源供应和工业照明系统。为了获得最佳性能,建议用户遵循以下使用建议:
    1. 散热管理:由于较高的功耗,确保良好的散热是关键。可以考虑使用散热片或其他有效的散热方法。
    2. 电路布局:在电路设计中注意减少寄生电感,采用接地平面,以提高性能和可靠性。
    3. 驱动电路设计:确保驱动电路能够提供足够的栅极电荷,以减少开关损耗。

    兼容性和支持


    CEF840G-VB 与大多数标准电源管理系统兼容。制造商提供详尽的技术支持和售后服务,包括产品规格更新、故障排除和技术咨询。如需更多信息,请联系客服热线:400-655-8788 或访问网站 www.VBsemi.com。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 栅极电荷过高:可能导致开关损耗增加,建议检查驱动电路并确保足够的栅极电荷。
    2. 过热:可能出现热关断。检查散热系统,确保适当的通风和冷却。
    解决方案
    1. 栅极电荷过高:增加驱动电路的电流能力或降低工作频率。
    2. 过热:使用更大的散热器或改善电路布局,确保良好的气流。

    总结和推荐


    总体来说,CEF840G-VB 是一款优秀的 N 沟道 MOSFET,适合于高效率、高可靠性要求的应用场景。其低 FOM 和高开关性能使其在电源管理和电力转换应用中表现卓越。推荐在需要高性能和低损耗的场合使用此产品。
    详细评估
    - 优点:低 FOM、低输入电容、优异的开关性能、宽工作温度范围。
    - 缺点:相对较高的功耗需要良好的散热管理。
    - 推荐:强烈推荐用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统。

CEF840G-VB参数

参数
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
Id-连续漏极电流 10A
配置 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

CEF840G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

CEF840G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 CEF840G-VB CEF840G-VB数据手册

CEF840G-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 3.9592
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