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76143P-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 30V,100A,RDS(ON),2mΩ@10V,3mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO252 该产品是单N沟道MOSFET,用于需要高功率和高频率控制的场合,特别适用于要求高性能和低损耗的模块。
供应商型号: 76143P-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 76143P-VB

76143P-VB概述

    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    本产品是一款N沟道30V(漏-源)MOSFET晶体管,属于TrenchFET® Power MOSFET系列。这款MOSFET的主要功能是在电源管理和负载切换中起到关键作用。它适用于多种应用场景,包括OR-ing、服务器以及DC/DC转换器。

    技术参数


    以下是此MOSFET的一些关键技术和性能参数:
    - 漏-源电压 \(V{DS}\): 30V
    - 漏-源开启状态电阻 \(R{DS(on)}\):
    - 在 \(V{GS} = 10 \text{V}\) 时为 \(0.002 \Omega\)
    - 在 \(V{GS} = 4.5 \text{V}\) 时为 \(0 \Omega\)
    - 持续漏电流 \(ID\)(\(TJ = 175^\circ \text{C}\) 时)
    - \(TC = 25^\circ \text{C}\) 时为 100A
    - \(TC = 70^\circ \text{C}\) 时为 80A
    - 最大脉冲漏电流 \(I{DM}\): 300A
    - 单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\): 94.8mJ
    - 最大功率耗散 \(PD\):
    - \(TC = 25^\circ \text{C}\) 时为 235W
    - \(TC = 70^\circ \text{C}\) 时为 165W
    - 工作结温和存储温度范围: \(-55^\circ \text{C} \sim 175^\circ \text{C}\)

    产品特点和优势


    - 100% Rg和UIS测试:保证产品质量。
    - 符合RoHS指令2011/65/EU:环保合规,减少对环境的影响。
    - 低导通电阻:在高电流下保持低功耗。
    - 高性能设计:适合各种严格的应用条件。

    应用案例和使用建议


    - OR-ing应用:由于低导通电阻和快速开关时间,适合在需要高效电源切换的应用中。
    - 服务器应用:高可靠性及稳定性使该产品适合服务器环境中。
    使用建议:在使用此MOSFET时,应确保其工作在规定的电压和电流范围内,避免长时间工作于极限条件下,以延长其使用寿命。

    兼容性和支持


    该产品与大多数标准电路板兼容,可以方便地进行焊接安装。制造商提供了详尽的技术支持和维护文档,帮助用户解决使用过程中可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 高温环境下使用,如何避免过热?
    - 解决方案:增加散热片或者采用更有效的散热措施,如强制风冷。
    2. 如何确保产品的使用寿命?
    - 解决方案:严格按照技术手册操作,不要超出绝对最大额定值范围使用。

    总结和推荐


    总体来说,这款N-Channel 30-V (D-S) MOSFET凭借其低导通电阻、高可靠性以及广泛的温度适用范围,在多种应用场合下表现出色。推荐在需要高效电源管理和可靠开关控制的应用中选用此款产品。

76143P-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@10V,3mΩ@4.5V
配置 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 100A
通道数量 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

76143P-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

76143P-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 76143P-VB 76143P-VB数据手册

76143P-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
2500+ ¥ 1.8212
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型号 价格(含增值税)
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