处理中...

首页  >  产品百科  >  P7NM50N-VB

P7NM50N-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n500V,13A,RDS(ON),660mΩ@10V,20Vgs(±V);3.1Vth(V) 封装:TO220一款Single N结构的功率MOSFET,具有中等电压和电流特性,该器件适用于电源模块.
供应商型号: P7NM50N-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) P7NM50N-VB

P7NM50N-VB概述


    产品简介


    P7NM50N是一款高性能的N沟道功率MOSFET,主要用于高效率的电力转换和控制应用。它具有较低的门极电荷(Qg),从而简化驱动要求,提供更好的门极、雪崩及动态dV/dt坚固性。这款器件广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器、太阳能系统以及其他需要高能效和可靠性的工业应用中。

    技术参数


    - 额定电压(VDS):500V
    - 导通电阻(RDS(on)):0.660Ω (VGS = 10V)
    - 最大总栅极电荷(Qg):81nC
    - 栅极-源极电荷(Qgs):20nC
    - 栅极-漏极电荷(Qgd):36nC
    - 连续漏极电流(ID):13A (TC = 25°C),8.1A (TC = 100°C)
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):560mJ
    - 最大结温(TJ):-55°C 到 +150°C
    - 最大瞬态热阻抗(RthJC):0.50°C/W
    - 反向恢复时间(trr):370ns 至 550ns
    - 反向恢复电荷(Qrr):4.4μC 至 6.5μC

    产品特点和优势


    P7NM50N的主要特点是其较低的门极电荷和良好的雪崩坚固性,使其在驱动电路设计上更加简单和高效。该器件完全标定了电容和雪崩电压,并符合RoHS指令2002/95/EC标准。此外,它的低导通电阻确保了较高的效率,适用于高功率应用场合。这些特点使其在市场上具备较强的竞争优势,特别是在电力管理和电机驱动领域。

    应用案例和使用建议


    P7NM50N常用于高效率的电源管理系统和电机驱动应用中。例如,在一个典型的太阳能逆变器应用中,P7NM50N可以作为关键的开关组件,有效地将直流电转换为交流电。为了实现最佳性能,建议在设计电路时考虑低寄生电感和接地平面布局,以减少电磁干扰和噪声。
    使用建议:
    1. 设计时应选择合适的栅极电阻(Rg)来控制dV/dt。
    2. 确保散热片安装牢固,以提高器件的热稳定性和可靠性。
    3. 在高速开关应用中,需注意减小杂散电感,避免过高的dv/dt导致的振铃现象。

    兼容性和支持


    P7NM50N与现有的大多数电子元件和设备兼容,尤其是那些需要高功率处理能力和良好开关性能的应用。制造商提供详细的技术支持和维护信息,用户可以通过其官方技术支持团队获取帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:器件过热导致性能下降。
    解决方案:检查并改善散热设计,确保散热片安装正确且散热良好。
    2. 问题:开关过程中出现过高的dv/dt导致振铃现象。
    解决方案:调整栅极电阻(Rg)值,以控制dv/dt。
    3. 问题:器件在高频率开关时出现异常。
    解决方案:检查电路板设计,确保低寄生电感和良好的接地平面设计。

    总结和推荐


    综上所述,P7NM50N是一款非常适合高效率电力管理和电机驱动应用的N沟道功率MOSFET。其较低的导通电阻、良好的雪崩坚固性以及较低的门极电荷使得它在诸多应用中表现出色。强烈推荐此款产品给需要高能效和可靠性的客户。对于需要进一步技术支持或详细的规格信息,可联系制造商的服务热线:400-655-8788。

P7NM50N-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 660mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 500V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.1V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Id-连续漏极电流 13A
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

P7NM50N-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

P7NM50N-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 P7NM50N-VB P7NM50N-VB数据手册

P7NM50N-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
1000+ ¥ 3.3111
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 38.87
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
070N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
086N10N-VB TO262 ¥ 3.887
0902NS-VB ¥ 3.498
091N06N-VB TO220 ¥ 3.887
100N06L-VB ¥ 3.1091
12N50C3-VB TO247 ¥ 12.5579
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0
130N03M-VB ¥ 1.9435
13P03SC-VB ¥ 1.5546