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K3157-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,200V,20A,RDS(ON),90mΩ@10V,100mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:TO220F\n由于其高漏极-源极电压和较大的漏极电流容量,可用于开关电源、逆变器和DC/DC转换器等电源模块,实现稳定高效的电能转换。
供应商型号: K3157-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3157-VB

K3157-VB概述


    产品简介


    本文介绍的是VBsemi公司生产的K3157-VB型N沟道200V(D-S)MOSFET。这款MOSFET具有多种特点,包括无卤素设计、表面贴装、低轮廓通孔封装以及可通过带卷供应。该产品具有动态dv/dt额定值、150℃的工作温度范围、快速开关性能和完全雪崩测试通过等特点。此外,该产品符合RoHS指令2002/95/EC的要求,且无卤素,符合IEC 61249-2-21标准定义。

    技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 200 V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±20 V
    - 连续漏极电流 \( ID \): 在 25 ℃ 时为 20 A,在 100 ℃ 时为 14 A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 72 A
    - 最大功率耗散 \( PD \): 42 W(在 25 ℃ 时)
    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): 200 V
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \): 2.0 - 4.0 V
    - 零栅电压漏极电流 \( I{DSS} \): 25 μA
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \): 0.058 Ω(在 \( V{GS} \) = 10 V 时)
    - 输入电容 \( C{iss} \): 1300 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 430 pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 130 pF

    产品特点和优势


    K3157-VB 型号具有以下几个显著特点和优势:
    - 无卤素设计:符合IEC 61249-2-21和RoHS指令,环保且符合国际安全标准。
    - 低热阻:具备出色的热管理能力,适合高负载应用。
    - 快速开关:快速开关时间,适用于高频应用,如逆变器和电机驱动。
    - 全雪崩测试通过:确保可靠性,适用于恶劣环境下的应用。

    应用案例和使用建议


    该产品广泛应用于逆变器、电源转换器、电机驱动器和其他高频率电力电子应用中。以下是几个典型应用场景和建议:
    - 逆变器:由于其高耐压和快速开关性能,非常适合用于太阳能逆变器和储能系统中的功率转换。
    - 电机驱动器:适用于需要高精度控制和可靠性的工业电机驱动应用。
    - 电池充电器:适用于要求低功耗和高效能的电池充电器。
    使用建议:
    - 散热设计:考虑到其高功率耗散,需采用有效的散热措施,例如增加散热片或使用风扇辅助散热。
    - 电路布局:确保电路布局合理,减少寄生电感,以提高系统的整体效率。

    兼容性和支持


    K3157-VB 型号与其他常见的电子元器件高度兼容,可广泛应用于各种电子系统中。制造商提供全面的技术支持,包括详细的规格书和技术文档,以及电话和技术支持团队的快速响应服务。

    常见问题与解决方案


    以下是用户可能会遇到的一些常见问题及解决方案:
    - 问题1: 产品在高温环境下性能下降。
    - 解决方法: 确保正确的散热措施,如使用散热器和强制风冷。

    - 问题2: 开关损耗高。
    - 解决方法: 优化电路布局,降低寄生电感,并选择合适的驱动器来优化开关速度。

    总结和推荐


    综上所述,K3157-VB 型号N沟道200V MOSFET凭借其出色的性能、可靠的雪崩测试通过能力和广泛应用范围,在高功率电子系统中表现出色。无论是作为工业应用中的关键组件,还是用于便携式设备中的电力管理,该产品都能满足您的需求。因此,强烈推荐给需要高性能、可靠性和灵活性的用户。

K3157-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 90mΩ@10V,100mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 20A
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 200V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3157-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3157-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3157-VB K3157-VB数据手册

K3157-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
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