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K4A60-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: K4A60-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4A60-VB

K4A60-VB概述

    K4A60 Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K4A60 是一款高性能的N沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET)。它具有低通态电阻和低栅极电荷的特点,适用于多种高效率电源转换应用。K4A60 主要用于服务器和电信电源供应、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及各种照明系统,如高强度放电灯(HID)和荧光灯球泡照明,同时也广泛应用于工业领域。

    2. 技术参数


    以下是 K4A60 的关键技术和性能参数:
    - 最大漏源电压 (VDS): 650 V
    - 漏源通态电阻 (RDS(on)): 最大值 1 Ω (在 VGS = 10 V 和 25 °C 下)
    - 总栅极电荷 (Qg): 最大值 13 nC (在 VGS = 10 V 和 25 °C 下)
    - 输入电容 (Ciss): 最大值 120 pF (在 VGS = 0 V 和 100 V 下,频率为 1 MHz)
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS): 650 V
    - 栅源电压 (VGS): ±30 V
    - 连续漏电流 (ID): 在 TC = 25 °C 时为 70 A,在 TC = 100 °C 时为 25 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 97 mJ

    3. 产品特点和优势


    K4A60 的显著特点是其低通态电阻和低栅极电荷,这使其具有出色的能效表现。其低输入电容 (Ciss) 减少了开关过程中的损耗,而其超低栅极电荷 (Qg) 可以显著提高开关速度。这些特性使其成为高性能电源转换应用的理想选择。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 服务器和电信电源供应:在数据中心中,K4A60 可用于实现高效的电源转换,减少能源消耗并提高整体能效。
    - 开关模式电源(SMPS):K4A60 的低损耗特性使得其非常适合用于需要高效率的开关电源设计。
    - 工业应用:在工业控制系统中,K4A60 的可靠性和高耐压特性使其能够在恶劣环境中稳定运行。
    使用建议:
    - 在设计电路时,确保栅极驱动电压不超过±30 V,以避免损坏。
    - 使用适当的散热措施来维持较低的工作温度,以提高可靠性。
    - 考虑使用外部电容器来优化开关时间和降低电磁干扰(EMI)。

    5. 兼容性和支持


    K4A60 采用 TO-220 Fullpak 封装,适用于大多数标准焊接工艺。VBsemi 提供详尽的技术支持和维护文档,帮助客户在设计过程中解决问题并优化性能。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 开关时栅极驱动不足怎么办?
    - A: 确保栅极驱动电路提供足够的电压和电流,以实现可靠的开关操作。

    - Q: 散热不良导致过热怎么办?
    - A: 设计良好的散热机制,如使用散热片和风扇,以保持工作温度在安全范围内。
    - Q: 开关频率不稳定怎么办?
    - A: 检查并调整栅极电阻,确保其在合适范围内,从而稳定开关频率。

    7. 总结和推荐


    K4A60 以其低通态电阻、低栅极电荷和高可靠性在高效率电源转换应用中表现出色。它的多功能性和优异的性能使其成为服务器、电信电源、工业控制和其他高要求应用的理想选择。我们强烈推荐 K4A60 作为高性能电源管理的关键组件。

K4A60-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 7A
FET类型 1个N沟道
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K4A60-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4A60-VB数据手册

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K4A60-VB封装设计

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