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2SK3507-ZK-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
供应商型号: 2SK3507-ZK-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK3507-ZK-VB

2SK3507-ZK-VB概述


    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET(型号为2SK3507-ZK)是一款高性能的场效应晶体管(MOSFET),专为电力电子应用设计。这款MOSFET属于沟槽型TrenchFET®功率MOSFET类别,主要用于服务器、直流电源转换及整流电路等领域。通过采用先进的沟槽制造工艺,该器件提供了低导通电阻和高电流处理能力,确保在多种苛刻条件下都能稳定运行。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):30 V
    - 最大连续漏极电流 (ID):1 A(TC=25°C);70 A(TC=70°C)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):200 A
    - 最高工作温度 (TJ):175°C
    - 存储温度范围 (Tstg):-55°C 至 175°C
    - 最大功耗 (PD):100 W(TC=25°C);75 W(TC=70°C)
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):0.007 Ω(VGS=10 V,ID=21.8 A)

    产品特点和优势


    - 高可靠性:全部样品都经过100%的Rg和UIS测试,保证了产品的质量和可靠性。
    - 环保材料:符合欧盟RoHS指令2011/65/EU标准,无铅无卤,适用于绿色电子制造。
    - 优越性能:具备低导通电阻(RDS(on))和高速开关性能,确保在大电流、高频率应用下的高效能表现。
    - 广泛适用性:适用于多种电路拓扑,如整流桥(OR-ing)、服务器电源管理及直流-直流转换器(DC/DC Converter)。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    这款N-Channel MOSFET在数据中心服务器电源系统中表现出色。由于其高可靠性和低损耗,它能够有效提升电源系统的效率,减少发热量,延长整体寿命。
    使用建议
    - 散热设计:考虑到最大功率消耗,需要良好的散热设计以避免过热。
    - 驱动电路配置:合适的栅极电阻(Rg)可以进一步提高开关速度,降低电磁干扰(EMI)。
    - 并联使用:如果需要更大电流,可以通过并联多个MOSFET来实现。

    兼容性和支持


    - 兼容性:此款MOSFET可直接替换市场上常见的同类产品,适用于大多数直流电路应用。
    - 支持与维护:制造商提供详尽的技术文档和应用指南,客户还可以联系客服获取更多技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:启动时发热严重
    - 解决方法:检查散热片是否安装正确且接触良好,必要时增加散热面积。
    - 问题2:频繁出现击穿故障
    - 解决方法:重新校准栅极驱动电压,确保不超过最大耐受值。
    - 问题3:栅极-源极电压不稳定
    - 解决方法:增加栅极电容(Cgs),减小电压波动。

    总结和推荐


    综上所述,2SK3507-ZK N-Channel MOSFET是一款性能优异、可靠性强的电力电子元件,非常适合用于高要求的工业控制、通信设备以及服务器电源管理系统。其低导通电阻、高工作温度范围和环保特性使其在市场上具有很高的竞争力。对于需要高效率、高可靠性的电路设计,强烈推荐使用该产品。

2SK3507-ZK-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 70A
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SK3507-ZK-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK3507-ZK-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK3507-ZK-VB 2SK3507-ZK-VB数据手册

2SK3507-ZK-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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2500+ ¥ 1.1597
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型号 价格(含增值税)
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