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NTP5860N-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,210A,RDS(ON),3mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.9Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要中高功率和电流的应用场合,能够在一定程度上平衡功率和性能。其适中尺寸的封装和中高功率特性使其适用于需要高密度布局和中高功率输出的电子设备和系统。
供应商型号: NTP5860N-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTP5860N-VB

NTP5860N-VB概述


    产品简介


    NTP5860N N-Channel 60V MOSFET
    NTP5860N 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道增强型功率场效应晶体管(Power MOSFET)。该产品广泛应用于电源管理、电机驱动、通信设备和汽车电子等领域。它采用TrenchFET技术,具备低导通电阻、高可靠性和环保特性。

    技术参数


    - 电压参数:
    - 最大漏源电压(VDS):60V
    - 最大栅源电压(VGS):±20V
    - 电流参数:
    - 连续漏极电流(TC = 25°C):210A
    - 连续源极电流:120A
    - 脉冲漏极电流(峰值):480A
    - 单脉冲雪崩电流:75A
    - 单脉冲雪崩能量:281mJ
    - 温度范围:
    - 操作结温和存储温度范围:-55°C至+175°C
    - 热阻抗:
    - 结到环境的热阻抗(PCB安装):40°C/W
    - 结到外壳的热阻抗:0.4°C/W

    产品特点和优势


    1. 环保特性:
    - 无卤素材料,符合IEC 61249-2-21标准。
    - 符合RoHS指令2002/95/EC,环保可靠。
    2. 高性能:
    - 低导通电阻:在VGS = 10V时,RDS(on)为0.003Ω;在VGS = 4.5V时,RDS(on)为0.009Ω。
    - 高电流承载能力:连续漏极电流可达210A,峰值电流可达480A。
    - 雪崩耐受能力强:单脉冲雪崩电流可达75A,雪崩能量达281mJ。
    3. 可靠性:
    - 所有产品都进行了100%的栅极电阻和雪崩耐受测试。
    - 无卤素设计提高了长期可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电源管理系统:适用于各种开关电源、逆变器等。
    - 电机驱动系统:可用于直流电机和步进电机驱动。
    - 通信设备:用于通信设备中的电源转换和滤波。
    - 汽车电子:可用于电动汽车和混合动力汽车的电源管理。
    使用建议
    - 在使用过程中注意散热设计,确保结温不超过175°C。
    - 尽量避免长时间超过最大额定电流工作,以减少热应力对器件的损害。
    - 定期检测栅极电阻,确保其处于正常状态,避免信号干扰。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NTP5860N可与多种电路板设计兼容,适用于TO-220AB封装的各类电路板。
    - 支持和服务:VBsemi提供全面的技术支持和售后维护服务。如有任何问题,可以通过服务热线400-655-8788联系技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:栅极电压超出额定值导致损坏。
    - 解决方案:确保栅极电压不超过±20V,如需更高电压请使用合适的栅极驱动器。
    2. 问题:导通电阻异常增加。
    - 解决方案:检查温度是否过高,适当降低工作温度并优化散热设计。
    3. 问题:在高电流下运行时温度过高。
    - 解决方案:增加散热片或使用风扇辅助散热,确保结温不超过175°C。

    总结和推荐


    NTP5860N 是一款高性能的N沟道60V MOSFET,具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的可靠性。它广泛应用于各种电力管理和控制场合,特别适合需要高可靠性和低功耗的应用。如果您正在寻找一款高效可靠的功率MOSFET,NTP5860N是一个理想的选择。强烈推荐在您的项目中使用这款产品。

NTP5860N-VB参数

参数
配置 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 210A
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@10V,9mΩ@4.5V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.9V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

NTP5860N-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTP5860N-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTP5860N-VB NTP5860N-VB数据手册

NTP5860N-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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