处理中...

首页  >  产品百科  >  FQP2N40-VB

FQP2N40-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N型功率MOSFET,具有高性能和可靠性。该产品适用于各种功率电子应用,提供可靠的电气特性和稳定的性能。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: FQP2N40-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQP2N40-VB

FQP2N40-VB概述

    FQP2N40-VB N-Channel 650V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    FQP2N40-VB 是一款高性能的N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),额定电压为650V。这款MOSFET具有低栅极电荷(Qg)的特点,从而简化驱动需求,同时具备增强型栅极、雪崩和动态dV/dt抗压能力。这些特性使得FQP2N40-VB非常适合于高效率开关电源、电机控制、工业自动化和其他电力电子应用。

    技术参数


    | 参数 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 栅极-源极电压 | ±30 V |
    | 连续漏极电流 | 1.28 A |
    | 脉冲漏极电流 | 8 A |
    | 漏极-源极击穿电压 | 650 V |
    | 漏极-源极导通电阻(RDS(on)) | 4.0 Ω |
    | 总栅极电荷(Qg) | 11 nC |
    | 栅极-源极电荷(Qgs) | 2.3 nC |
    | 栅极-漏极电荷(Qgd) | 5.2 nC |
    | 绝对最大热阻 (RthJA) | - | 65 | °C/W |
    | 工作温度范围 | -55至150 °C |

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷: 有助于降低驱动电路复杂度和功耗。
    2. 高可靠性: 改进了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。
    3. 完全表征: 包括雪崩电压和电流的全面测试。
    4. 符合RoHS标准: 确保环保合规。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 高效开关电源:适用于开关频率高的场合。
    - 电机控制:用于工业和家电电机驱动。
    - 电源转换器:例如AC-DC转换器和DC-DC转换器。
    使用建议:
    - 在使用过程中,确保电路设计合理,避免过流和过热情况发生。
    - 结合适当的散热措施,如散热片或风扇,以提高长期运行的稳定性。
    - 对于需要高可靠性的工作环境,考虑冗余设计或备用方案。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品与其他标准的TO-220封装产品兼容。
    - 支持: 制造商提供详细的技术文档和支持服务,包括使用手册、应用指南和样品请求。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 漏极电流过高 | 检查负载和驱动电路,确保不会超过最大允许电流。 |
    | 工作温度超出限定范围 | 使用散热器或其他冷却方法来维持温度在安全范围内。 |
    | 驱动信号不稳定 | 确保驱动电路设计正确且供电稳定。 |

    总结和推荐



    总结

    :
    FQP2N40-VB是一款适用于多种电力电子应用的高效N沟道MOSFET。它的低栅极电荷和高可靠性能使其成为许多高要求应用的理想选择。
    推荐:
    强烈推荐给需要高效率和可靠性的电力电子设计师和工程师。该产品特别适合于需要高耐压、高可靠性和易于驱动的应用场景。

FQP2N40-VB参数

参数
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 2A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FQP2N40-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQP2N40-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FQP2N40-VB FQP2N40-VB数据手册

FQP2N40-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
1000+ ¥ 1.6556
库存: 400000
起订量: 15 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 29.15
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336