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HFS8N65S-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: HFS8N65S-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HFS8N65S-VB

HFS8N65S-VB概述

    HFS8N65S Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    HFS8N65S 是一款高性能的N沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),专为高效能应用设计。它主要应用于服务器和电信电源供应系统、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正电源供应(PFC)和照明系统(如高强度放电灯HID和荧光灯镇流器)。此外,它还适用于工业领域。

    2. 技术参数


    - 额定电压 (VDS):650V (TJ max)
    - 最大漏源导通电阻 (RDS(on)):1Ω (VGS=10V, TC=25°C)
    - 总栅极电荷 (Qg):16nC (VGS=10V, ID=4A)
    - 栅源电荷 (Qgs):10nC (VGS=10V, ID=4A)
    - 栅漏电荷 (Qgd):24nC (VGS=10V, ID=4A)
    - 最大连续漏电流 (ID):4A (TJ=150°C, VGS=10V, TC=25°C)
    - 最大脉冲漏电流 (IDM):100A
    - 最大单次雪崩能量 (EAS):860mJ
    - 最大功率耗散 (PD):140W
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 至 +150°C
    - 开关特性:
    - 开启延迟时间 (td(on)):40ns
    - 上升时间 (tr):62ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)):25ns
    - 下降时间 (tf):10ns
    - 静态特性:
    - 漏源击穿电压 (VDS):650V
    - 门源阈值电压 (VGS(th)):2.5V - 5V
    - 零门源电压漏电流 (IDSS):1μA (VDS=650V, VGS=0V)

    3. 产品特点和优势


    HFS8N65S 功率MOSFET 具有以下几个独特优势:
    - 低优值系数 (FOM):Ron x Qg 较低,有助于降低整体功耗。
    - 低输入电容 (Ciss):减小了开关损耗,提高了效率。
    - 低栅极电荷 (Qg):降低了开启和关闭过程中所需的能量,从而提高系统的开关频率。
    - 低反向恢复时间 (trr):提升了电路的稳定性,降低了系统响应时间。
    - 高可靠性:高耐雪崩能量 (EAS),确保了设备在极端条件下的稳定运行。

    4. 应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源供应系统:HFS8N65S 可以有效地减少服务器电源模块的损耗,提升整体效率。
    - 工业控制:适用于需要高效能驱动和精确控制的应用,例如电机控制。
    - 节能照明:用于HID和荧光灯镇流器,提供高效的能量转换。
    使用建议:
    - 在设计电路时,应考虑电源开关速度和功耗之间的平衡,合理配置驱动电阻 (Rg)。
    - 确保适当的散热设计,以避免长时间工作导致的温度过高问题。

    5. 兼容性和支持


    HFS8N65S 与多种电源管理和驱动电路兼容。制造商提供详尽的技术支持文档和在线服务,以帮助客户进行产品选型和故障排除。此外,VBsemi 提供全面的产品质量保证,确保用户能够得到持续的支持和服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:开关过程中出现过高的电压尖峰。
    - 解决方案:增加外部缓冲电路或优化电路布局,减少寄生电感的影响。

    - 问题:开关过程中的效率较低。
    - 解决方案:检查栅极电阻 (Rg) 的设置,适当调整以优化开关速度和功耗。
    - 问题:温度上升过快。
    - 解决方案:加强散热措施,例如添加散热片或采用液冷方式。

    7. 总结和推荐


    HFS8N65S 功率MOSFET 在多个方面表现优异,特别适合需要高效率和可靠性的应用场景。它的低功耗和高效率使得其在众多工业和消费电子产品中都有广泛的应用前景。综合来看,我们强烈推荐 HFS8N65S 作为高性能功率转换应用的理想选择。

HFS8N65S-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 7A
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

HFS8N65S-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HFS8N65S-VB数据手册

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HFS8N65S-VB封装设计

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