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9N40L-TF1-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: 9N40L-TF1-T-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 9N40L-TF1-T-VB

9N40L-TF1-T-VB概述

    9N40L-TF1-T-VB N-Channel 650V Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    9N40L-TF1-T-VB 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET,专为服务器和电信电源供应系统、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正电源供应器(PFC)以及各种照明和工业应用设计。其关键特征包括低导通电阻、低栅极电荷以及优秀的电气特性,使其成为高可靠性应用的理想选择。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大耐压 (VDS) | 650 | V |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | - | Ω |
    | 最大连续漏电流 (ID) | 12 | A |
    | 最大脉冲漏电流 (IDM) | 45 | A |
    | 最大总功耗 (PD) | - | W |
    | 绝对最大额定温度 (TJ) | -55 至 +150 | °C |
    | 开关损耗相关参数
    | 栅极电荷 (Qg) | 43 | nC |
    | 栅源电荷 (Qgs) | 5 | nC |
    | 栅漏电荷 (Qgd) | 22 | nC |

    产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(on)):低电阻值使得导通损耗极低,适用于高效率的应用场合。
    - 低输入电容 (Ciss):减少了开关过程中的电容充电和放电时间,提高系统整体效率。
    - 低栅极电荷 (Qg):降低驱动电压,减小驱动电路的负担。
    - 超低栅极电荷 (Qgd):进一步减少栅极驱动所需的时间,增强系统的动态响应速度。
    - 雪崩能量额定 (UIS):提高了器件在高压突变条件下的抗冲击能力,确保系统可靠运行。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源供应系统:该器件适用于需要高可靠性及高效能的电源系统。
    - 照明系统:尤其适用于高强度放电灯(HID)和荧光灯泡的驱动电路。
    - 工业应用:广泛应用于电机控制和变频器等领域。
    使用建议:
    - 在进行驱动电路设计时,需特别注意驱动电阻的选择,以确保合适的驱动电流和速度。
    - 高温环境中使用时,应注意散热设计,防止过热导致器件损坏。

    兼容性和支持


    该器件与其他常见的电源管理芯片具有良好的兼容性,适用于多种应用场景。厂商提供了详细的技术支持,包括产品选型指南和技术咨询等服务,确保客户在使用过程中能够获得及时有效的帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关过程中的栅极振荡 | 增加栅极电阻,减少栅极电感。 |
    | 漏电流过高 | 检查接线是否正确,确保引脚间没有短路。 |
    | 系统效率低下 | 优化驱动电路,减小栅极电容和栅极电阻。 |

    总结和推荐


    总体来看,9N40L-TF1-T-VB 在电气特性和可靠性方面表现优异,是一款适合于各类高效率应用的N沟道功率MOSFET。其低导通电阻和低栅极电荷特性,使其非常适合需要高效率转换的应用。强烈推荐在服务器、电信电源、SMPS 和工业应用等场合中使用。对于需要高可靠性且重视系统整体效率的项目,9N40L-TF1-T-VB 将是一个理想的选择。

9N40L-TF1-T-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 12A
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 680mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

9N40L-TF1-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

9N40L-TF1-T-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 9N40L-TF1-T-VB 9N40L-TF1-T-VB数据手册

9N40L-TF1-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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