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UPA3753GR-E1-AT-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,6A,RDS(ON),27mΩ@10V,32mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:SOP8 在工业自动化领域,该产品可用于工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块,提高系统的运行效率和稳定性。
供应商型号: UPA3753GR-E1-AT-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UPA3753GR-E1-AT-VB

UPA3753GR-E1-AT-VB概述

    双N沟道60V MOSFET 技术手册

    产品简介


    双N沟道60V MOSFET(型号:UPA3753GR-E1-AT)是一种高性能功率MOSFET,具有出色的耐压能力和低导通电阻。它广泛应用于开关电源、电机驱动器、逆变器和其他需要高效电力转换的领域。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术和性能参数:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 (VDS) | - | 60 | - | V |
    | 栅源电压 (VGS) | -20 | ± 20 | +20 | V |
    | 连续漏电流 (ID) | - | 7 | - | A |
    | 单脉冲雪崩电流 (IAS)| - | - | 18 | A |
    | 雪崩能量 (EAS) | - | - | 16.2 | mJ |
    | 工作温度范围 (TJ) | -55 | 175 | +175 | °C |
    | 漏源导通电阻 (RDS(on)) | - | 0.028 | - | Ω (VGS=10V)|
    | 热阻 (RthJA) | - | 110 | - | °C/W |

    产品特点和优势


    1. TrenchFET®技术:采用了先进的沟槽栅技术,有效降低导通电阻,提高开关效率。
    2. 高可靠性:通过100% Rg和UIS测试,确保在各种应用环境下的可靠性能。
    3. 宽温范围:-55°C到+175°C的工作温度范围,适用于极端环境条件。
    4. 快速响应:具备快速的开关速度,减少开关损耗,提高整体效率。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源:适用于各类开关电源的设计,提高电源转换效率。
    - 电机驱动:可作为电机驱动器的核心组件,提升电机控制精度。
    - 逆变器:适用于逆变器设计,降低系统损耗,提高输出功率。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意散热设计,以保证长期稳定运行。
    - 设计电路时,应考虑其容许的最大脉冲电流和能量吸收能力,避免损坏。

    兼容性和支持


    该MOSFET采用标准SO-8封装,便于与各种电路板设计兼容。制造商提供全面的技术支持,包括设计指南和故障排查文档,帮助客户快速集成到现有系统中。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何测量漏源导通电阻?
    - 答:在漏源电压为60V且栅源电压为10V的情况下,可以测量得到典型值为0.028Ω。
    2. 问:高温下是否会过热?
    - 答:最高工作温度可达175°C,但在高温环境下,建议进行良好的散热设计,以确保长时间稳定运行。

    总结和推荐


    该双N沟道60V MOSFET在开关电源、电机驱动和逆变器等领域表现出色,具有较高的耐压能力和低导通电阻,适合在严苛环境中使用。其卓越的性能和广泛的适用性使其成为许多应用的理想选择。我们强烈推荐使用这款产品来提升系统的整体性能和效率。

UPA3753GR-E1-AT-VB参数

参数
通道数量 -
配置 -
Id-连续漏极电流 6A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 27mΩ@10V,32mΩ@4.5V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UPA3753GR-E1-AT-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UPA3753GR-E1-AT-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UPA3753GR-E1-AT-VB UPA3753GR-E1-AT-VB数据手册

UPA3753GR-E1-AT-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.8212
4000+ ¥ 1.742
库存: 400000
起订量: 15 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:15
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型号 价格(含增值税)
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